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长鑫存储技术有限公司朱宏成获国家专利权

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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆的测试结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115831926B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111095434.0,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权晶圆的测试结构及其制备方法是由朱宏成设计研发完成,并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

晶圆的测试结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本公开实施例提供一种晶圆的测试结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,该测试结构包括至少一个测试单元;每个测试单元设置于晶圆的切割道上,每个测试单元包括相互连接的第一有源区和第二有源区,第一有源区上设置有第一导电插塞,第二有源区上设置有第二导电插塞;第一有源区和第二有源区中之一设置有接触结构。本公开实施例通过测试单元中的接触结构与晶圆的芯片区内的位线接触结构相同,可以通过测量测试单元中接触结构的电阻值,将该电阻值作为晶圆的芯片区的位线接触结构的电阻值,以保证芯片区内的位线接触结构的电阻值的准确性。

本发明授权晶圆的测试结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆的测试结构,其特征在于,包括至少一个测试单元,所述测试单元设置于所述晶圆的切割道上; 每个所述测试单元包括相互连接的第一有源区和第二有源区,所述第一有源区上设置有第一导电插塞,所述第二有源区上设置有第二导电插塞,所述第一有源区和所述第二有源区中之一设置有接触结构,所述接触结构与所述晶圆的芯片区的位线接触结构相同; 所述测试结构还包括电压测试设备和电流输入设备; 所述电压测试设备的一端与所述第一导电插塞和所述第二导电插塞中的其中一个连接,所述电压测试设备的另一端与所述接触结构连接; 所述电流输入设备的一端与所述第一导电插塞和所述第二导电插塞中的另一个连接,所述电流输入设备的另一端与所述接触结构连接; 所述测试单元还包括第一导线、第二导线和第三导线,所述第一导线与所述第一导电插塞电连接,所述第三导线与所述第二导电插塞电连接,所述第二导线与所述接触结构电连接,且沿第一方向,所述第二导线包括相对设置的第一端和第二端; 所述接触结构设置在所述第一有源区内,并位于所述第一导电插塞和所述第二导电插塞之间; 所述电压测试设备的一端与所述第一导线连接,所述电压测试设备的另一端与所述第二导线的第一端连接; 所述电流输入设备的一端与所述第三导线连接,所述电流输入设备的另一端与所述第二导线的第二端连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司,其通讯地址为:230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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