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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利感测放大电路和数据读出方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110998264.0，技术领域涉及：G11C11/4091；该发明授权感测放大电路和数据读出方法是由池性洙设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本感测放大电路和数据读出方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体电路设计领域，涉及一种感测放大电路和数据读出方法，包括：第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管；第一控制MOS管用于根据控制信号向第一PMOS管提供偏置电压；第二控制MOS管用于根据控制信号向第二PMOS管提供偏置电压；第一偏移消除MOS管用于根据偏移消除信号使所处初始位线与第一互补读出位线电连接；第二偏移消除MOS管用于根据偏移消除信号使初始互补位线与第一读出位线电连接，通过第一控制MOS管和第二控制MOS管分别向第一PMOS管和第二PMOS管提供稳定栅极电压，以稳定地消除感测放大电路中的偏移噪声，同时避免位线和互补位线上的电压波动。

本发明授权感测放大电路和数据读出方法在权利要求书中公布了：1.一种感测放大电路，设置在相邻存储阵列之间，其特征在于，包括： 第一PMOS管，其栅极连接第二读出位线，其漏极连接第一互补读出位线，其源极连接第一信号端； 第一NMOS管，其栅极连接初始位线，其漏极连接所述第一互补读出位线，其源极连接第二信号端，所述初始位线连接相邻所述存储阵列中一所述存储阵列； 第二PMOS管，其栅极连接第二互补读出位线，其漏极连接第一读出位线，其源极连接所述第一信号端； 第二NMOS管，其栅极连接初始互补位线，其漏极连接所述第一读出位线，其源极连接所述第二信号端，所述初始互补位线连接相邻所述存储阵列中另一所述存储阵列； 所述第一信号端用于接收第一电平信号，所述第二信号端用于接收第二电平信号； 第一控制MOS管，其源极连接所述第二读出位线，其栅极用于接收控制信号，其漏极用于接收偏置电压，用于根据所述控制信号向所述第一PMOS管提供偏置电压； 第二控制MOS管，其源极连接所述第二互补读出位线，其栅极用于接收所述控制信号，漏极用于接收所述偏置电压，用于根据所述控制信号向所述第二PMOS管提供偏置电压； 第一偏移消除MOS管，其源极连接所述初始位线，其漏极连接所述第一互补读出位线，其栅极用于接收偏移消除信号，用于根据所述偏移消除信号使所处初始位线与所述第一互补读出位线电连接； 第二偏移消除MOS管，其源极连接所述初始互补位线，其漏极连接所述第一读出位线，其栅极用于接收所述偏移消除信号，用于根据所述偏移消除信号使所述初始互补位线与所述第一读出位线电连接； 所述控制信号与所述偏移消除信号相同。

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