格芯(美国)集成电路科技有限公司V·贾因获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110960025.6，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管是由V·贾因;J·J·埃利斯-莫纳甘;A·K·斯塔珀;S·M·尚克;J·J·派卡里克设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管HBT及其制造方法。该结构包括：第一异质结双极晶体管；第二异质结双极晶体管；以及嵌入在第一异质结双极晶体管和第二异质结双极晶体管两者下方的衬底内的富陷阱隔离区。
本发明授权具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 第一异质结双极晶体管； 第二异质结双极晶体管； 富陷阱隔离区，其嵌入在所述第一异质结双极晶体管和所述第二异质结双极晶体管两者下方的衬底内；以及 隔离区，其位于所述衬底内、位于所述富陷阱隔离区和所述第二异质结双极晶体管下方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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