美光科技公司祐川光成获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利形成半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110652980.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权形成半导体装置的方法是由祐川光成;中村吉孝设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及形成半导体装置的方法。一种方法，包含形成第一构件，所述第一构件具有其中包含多个存储电容器的第一部分和围绕所述第一部分的第二部分；形成具有第三部分和围绕所述第三部分的第四部分的凹形的第二构件，所述第三部分对应于所述凹形的下顶表面，所述第三部分在其中包含对应于所述多个存储电容器设置的多个存取晶体管，所述第四部分对应于所述凹形的上顶表面；将所述第一构件堆叠在所述第二构件上以物理地连接所述第二部分和所述第四部分，并且在所述第一部分和所述第三部分之间具有间隙；切割所述第一构件以将所述第一部分与所述第二部分物理分离；以及接合分离的所述第一部分和所述第三部分，并填充其间的所述间隙。
本发明授权形成半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 形成第一构件，所述第一构件具有其中包含多个存储电容器的第一部分和围绕所述第一部分的第二部分； 形成具有第三部分和围绕所述第三部分的第四部分的凹形的第二构件，所述第三部分对应于所述凹形的下顶表面，所述第三部分在其中包含对应于所述多个存储电容器设置的多个存取晶体管，所述第四部分对应于所述凹形的上顶表面； 将所述第一构件堆叠在所述第二构件上以物理地连接所述第二部分和所述第四部分，并且在所述第一部分和所述第三部分之间具有间隙； 切割所述第一构件以将所述第一部分与所述第二部分物理分离；以及 接合分离的所述第一部分和所述第三部分，并填充其间的所述间隙。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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