珠海方正科技高密电子有限公司;北大方正集团有限公司邹定明获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海方正科技高密电子有限公司;北大方正集团有限公司申请的专利刚挠结合电路板的制作方法和刚挠结合电路板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115460795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110640338.3,技术领域涉及:H05K3/36;该发明授权刚挠结合电路板的制作方法和刚挠结合电路板是由邹定明;陆永平;车世民;陈德福;王细心;何为设计研发完成,并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本刚挠结合电路板的制作方法和刚挠结合电路板在说明书摘要公布了:本发明提供了一种刚挠结合电路板的制作方法和刚挠结合电路板,涉及电路板技术领域,以解决现有刚挠结合电路板制作流程复杂的技术问题。本发明提供的刚挠结合电路板的制作方法包括以下步骤:制作挠性层,在挠性层上形成挠性区;制作半固化片,在半固化片上形成预捞空区;将挠性层固定连接在半固化片的第一表面,且预捞空区与挠性区对应;在半固化片的第二表面上形成刚性层,第一表面和第二表面为半固化片相对的两个表面;在刚性层上形成开盖区;其中,开盖区与预捞空区和挠性区对应,开盖区与预捞空区连通,并暴露出挠性区。本发明的刚挠结合电路板的制作方法,能够简化刚挠结合电路板的制作流程。
本发明授权刚挠结合电路板的制作方法和刚挠结合电路板在权利要求书中公布了:1.一种刚挠结合电路板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 制作挠性层,并在所述挠性层上形成挠性区; 制作半固化片,并在所述半固化片上形成预捞空区; 将所述挠性层固定连接在所述半固化片的第一表面,且所述预捞空区与所述挠性区对应; 在所述半固化片的第二表面上形成刚性层,所述第一表面和所述第二表面为所述半固化片相对的两个表面; 通过对所述刚性层进行控深铣,在所述刚性层上形成开盖区;其中,所述开盖区与所述预捞空区和所述挠性区对应,所述开盖区与所述预捞空区连通,并暴露出所述挠性区; 所述制作半固化片,包括:在所述半固化片上开设定位孔,所述定位孔用于对所述半固化片进行定位;在所述半固化片上划分电路布置区,所述电路布置区包括若干个电路布置单元区;在至少部分所述电路布置单元区的所述半固化片上进行捞空处理,形成所述预捞空区; 所述固定连接所述半固化片和所述挠性层,包括:将所述挠性层上的定位点与所述半固化片的所述定位孔对合;固定连接对合后的所述挠性层和所述半固化片;其中,所述挠性层的所述挠性区与所述预捞空区对应。
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