爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110398957.6，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法，该半导体存储器装置包括：位线，其与外围电路层交叠；层间绝缘层和导电图案，其在位线上沿第一方向交替地层叠；垂直沟道，其连接至位线，该垂直沟道贯穿层间绝缘层和导电图案，该垂直沟道在第一方向上比层叠的层间绝缘层和导电图案突出更远；连接图案，其与每个垂直沟道的在第一方向上比层叠的层间绝缘层和导电图案突出更远的部分接触，该连接图案连接垂直沟道；源极沟道，其与连接图案接触，该源极沟道在第一方向上延伸；以及源极选择线，其围绕源极沟道。
本发明授权半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 位线，该位线与外围电路层交叠； 源极层，所述源极层位于所述位线上方； 层间绝缘层和导电图案，所述层间绝缘层和所述导电图案在所述位线与所述源极层之间沿第一方向交替地层叠； 垂直沟道，所述垂直沟道连接至所述位线，所述垂直沟道贯穿所述层间绝缘层和所述导电图案，所述垂直沟道在所述第一方向上比层叠的层间绝缘层和导电图案突出更远； 连接图案，该连接图案与每个所述垂直沟道的在所述第一方向上比层叠的层间绝缘层和导电图案突出更远的部分接触，该连接图案将所述垂直沟道连接； 源极沟道，该源极沟道与所述连接图案接触，该源极沟道在所述第一方向上延伸以接触所述源极层；以及 源极选择线，该源极选择线围绕所述源极沟道并且与所述连接图案和所述源极层间隔开，使得所述源极层取决于施加到所述源极选择线的信号而经由所述源极沟道电连接到所述连接图案。
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