联华电子股份有限公司杨宗祐获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110047083.X，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由杨宗祐;李信宏;曹瑞哲;邱达伟设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，具有一第一区域和在所述第一区域周围的一第二区域；至少一第一鳍状结构，设置在所述第一区域内；至少一第二鳍状结构，设置在所述第二区域内；一第一隔离沟槽，设置在所述第一区域内并邻近所述至少一第一鳍状结构；一第一沟槽隔离层，设置在所述第一隔离沟槽中；一第二隔离沟槽，设置在所述第一区域周围并位于所述至少一第一鳍状结构与所述至少一第二鳍状结构之间，其中所述第二隔离沟槽的底面具有一阶梯落差；以及一第二沟槽隔离层，设置在所述第二隔离沟槽中。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 基底，具有第一区域和在所述第一区域周围的第二区域； 至少一第一鳍状结构，设置在所述第一区域内； 至少一第二鳍状结构，设置在所述第二区域内； 第一隔离沟槽，设置在所述第一区域内并邻近所述至少一第一鳍状结构； 第一沟槽隔离层，设置在所述第一隔离沟槽中； 第二隔离沟槽，设置在所述第一区域周围并位于所述至少一第一鳍状结构与所述至少一第二鳍状结构之间，其中所述第二隔离沟槽的底面具有阶梯落差；以及 第二沟槽隔离层，设置在所述第二隔离沟槽中， 其中，所述底面包含在所述第一区域内的第一表面和在所述第二区域内的第二表面，其中所述第一表面低于所述第二表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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