无锡华润上华科技有限公司许超奇获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011612640.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由许超奇;林峰;陈淑娴;张文文设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：在所述半导体衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构间形成第一开口和第二开口并露出所述半导体衬底；蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽间的所述半导体衬底作为衬底引出区；去除部分所述掩膜结构，露出所述衬底引出区的上表面；进行离子注入，在所述第一凹槽的底部、所述第二凹槽的底部、所述衬底引出区的上表面、所述衬底引出区的侧表面形成彼此连续的离子掺杂区；在所述第一凹槽和所述第二凹槽内填充介质，得到双隔离槽。通过在半导体衬底中形成高掺杂浓度的离子掺杂区，避免了隔离结构中出现缝隙，实现了更好的隔离效果。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构间形成第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口露出所述半导体衬底； 基于所述第一开口和所述第二开口蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽间的所述半导体衬底作为衬底引出区； 去除部分所述掩膜结构，露出所述衬底引出区的上表面； 进行离子注入，在所述第一凹槽的底部、所述第二凹槽的底部、所述衬底引出区的上表面、所述衬底引出区的侧表面形成彼此连续的离子掺杂区； 在所述第一凹槽和所述第二凹槽内填充介质，得到双隔离槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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