联华电子股份有限公司杨宗祐获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利高压半导体装置以及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011601728.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权高压半导体装置以及其制作方法是由杨宗祐;李信宏;李年中;熊昌铂设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压半导体装置以及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括半导体基底、隔离结构、栅极氧化物层与栅极结构。半导体基底包括通道区，隔离结构的至少一部分设置于半导体基底中且围绕通道区。栅极氧化物层设置于半导体基底上，且栅极氧化物层包括第一部分与第二部分。第二部分设置于第一部分在水平方向上的两相对侧，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。栅极结构设置于栅极氧化物层以及隔离结构上。
本发明授权高压半导体装置以及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括： 半导体基底，该半导体基底包括通道区； 隔离结构，其中该隔离结构的至少一部分设置于该半导体基底中且围绕该通道区； 栅极氧化物层，设置于该半导体基底上，其中该栅极氧化物层包括： 第一部分；以及 第二部分，设置于该第一部分在水平方向上的两相对侧，其中该第一部分的厚度大于该第二部分的厚度，该第二部分于该水平方向上位于该第一部分与该隔离结构之间；以及 栅极结构，设置于该栅极氧化物层以及该隔离结构上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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