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龙图腾网获悉恩智浦美国有限公司申请的专利包含多路径集成无源装置的功率放大器封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011585149.2，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权包含多路径集成无源装置的功率放大器封装是由魏允;瑞卡都·优斯库拉;蒙特·吉恩·米勒设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含多路径集成无源装置的功率放大器封装在说明书摘要公布了：本发明公开了例如多尔蒂PA封装的功率放大器PA封装，所述PA封装包含多路径集成无源装置IPD。在实施例中，所述PA封装包括：封装主体，第一信号放大路径和第二信号放大路径延伸穿过所述封装主体；第一放大器管芯，所述第一放大器管芯在所述封装主体内且定位在所述第一信号放大路径中；以及第二放大器管芯，所述第二放大器管芯在所述封装主体内且定位在所述第二信号放大路径中。多路径IPD另外包含在所述封装主体中。所述多路径IPD包括：第一IPD区，所述第一信号放大路径延伸穿过所述第一IPD区；第二IPD区，所述第二信号放大路径延伸穿过所述第二IPD区；以及隔离区，所述隔离区形成于所述IPD基板中，在所述第一IPD区和所述第二IPD区中间的位置。

本发明授权包含多路径集成无源装置的功率放大器封装在权利要求书中公布了：1.一种功率放大器PA封装，其特征在于，包括： 封装主体，第一信号放大路径和第二信号放大路径延伸穿过所述封装主体； 第一放大器管芯，所述第一放大器管芯包含在所述封装主体内且定位在所述第一信号放大路径中； 第二放大器管芯，所述第二放大器管芯包含在所述封装主体内且定位在所述第二信号放大路径中，所述第二放大器管芯沿着第一轴线与所述第一放大器管芯间隔开；以及 多路径集成无源装置IPD，所述多路径IPD另外包含在所述封装主体内，所述多路径IPD包括： IPD基板； 第一电隔离IPD区，所述第一信号放大路径延伸穿过所述第一IPD区，所述第一IPD区在第一位置处形成于所述IPD基板中； 第二电隔离IPD区，所述第二信号放大路径延伸穿过所述第二IPD区，所述第二IPD区在第二位置处形成于所述IPD基板中，所述第二位置沿着平行于所述第一轴线的第二轴线与所述第一位置间隔开；以及 隔离区，所述隔离区在所述第一位置与所述第二位置中间的第三位置处形成于所述IPD基板中； 其中所述PA封装另外包括： 电磁EM隔离结构，所述EM隔离结构耦合到所述隔离区，且从所述多路径IPD延伸到所述第一放大器管芯与所述第二放大器管芯之间的区域上方，其中所述EM隔离结构包括线围栏，所述线围栏包括接触位于所述多路径IPD的所述隔离区中的一个或多个键合垫的多个键合线； 导电凸缘，所述第一放大器管芯、所述第二放大器管芯和所述IPD基板附接到所述导电凸缘； 其中所述线围栏通过所述多路径IPD电耦合到所述导电凸缘。

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