北京大学彭超获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种二维光子晶体微腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011522285.7，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种二维光子晶体微腔是由彭超;陈子豪设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维光子晶体微腔在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二维光子晶体微腔，包括：第一介质层、第二介质层及设置在所述第一介质层与第二介质层之间的光子晶体层；所述光子晶体层设有周期性排列的圆柱通孔，所述圆柱通孔垂直于所述第一介质层及第二介质层；所述光子晶体层包括中心区域和外围区域；所述中心区域包括Na×Na个圆柱通孔，其中，Na为大于等于1的正整数；所述外围区域包裹所述中心区域，用于抑制二维光子晶体微腔中能量从外围区域泄漏或控制二维光子晶体微腔中能量向外围区域辐射。本发明的光子晶体微腔具有较高的品质因数和优异的光学性能，尺寸非常小便于光器件集成。同时，对于加工中的工艺误差具有良好的鲁棒性，便于规模化工业生产。
本发明授权一种二维光子晶体微腔在权利要求书中公布了：1.一种二维光子晶体微腔，其特征在于，包括：第一介质层、第二介质层及设置在所述第一介质层与第二介质层之间的光子晶体层； 所述光子晶体层设有周期性排列的圆柱通孔，所述圆柱通孔垂直于所述第一介质层及第二介质层； 所述光子晶体层包括中心区域和外围区域；所述中心区域包括Na×Na个圆柱通孔，其中，Na为大于等于1的正整数；所述外围区域包裹所述中心区域，用于抑制二维光子晶体微腔中能量从外围区域泄漏或控制二维光子晶体微腔中能量向外围区域辐射；所述二维光子晶体微腔中心波长的禁带可通过改变所述外围区域中相邻圆柱通孔的距离、所述外围区域中圆柱通孔的半径以及所述外围区域与所述中心区域之间的间隔中的至少一者而形成。
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