伯恩森斯韦伯斯特(以色列)有限责任公司H·沃尔夫森获国家专利权
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龙图腾网获悉伯恩森斯韦伯斯特(以色列)有限责任公司申请的专利对富金属环境中由线圈产生的磁场的稀疏校准获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114828741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080087280.8，技术领域涉及：A61B5/06；该发明授权对富金属环境中由线圈产生的磁场的稀疏校准是由H·沃尔夫森;A·D·蒙泰格;M·巴尔-塔尔;Y·平斯基;N·雷切利设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本对富金属环境中由线圈产生的磁场的稀疏校准在说明书摘要公布了：本发明提供了一种校准方法，所述校准方法包括接收磁场值，所述磁场值由多个真实磁发射器26产生并且在包含磁场扰动元件的区域中的网格上的多个位置处测量。接收所述真实磁发射器的近似位置。使用所述近似位置，表征所述场扰动元件40内的相应的多个虚拟磁源55。使用所测量的磁场值、所述近似位置和所表征的虚拟源，迭代地计算i所述区域中的真实磁源和虚拟磁源的实际位置，以及ii将由所述实际位置处的所述真实磁源和所述虚拟磁源产生的模型化磁场值。使用所计算的位置和所述网格上的所述多个位置处的所述模型化磁场值，导出所述区域的磁场校准函数。
本发明授权对富金属环境中由线圈产生的磁场的稀疏校准在权利要求书中公布了：1.一种校准方法，包括： 接收磁场值，所述磁场值由多个真实磁发射器产生并且在包含磁场扰动元件的区域中的网格上的多个位置处测量； 接收所述真实磁发射器的近似位置； 使用所述近似位置，表征所述场扰动元件内的相应的多个虚拟磁源； 使用所测量的磁场值、所述近似位置和所表征的虚拟源，迭代地计算i所述区域中的真实磁源和虚拟磁源的实际位置，以及ii将由所述实际位置处的所述真实磁源和所述虚拟磁源产生的模型化磁场值；以及 使用所计算的位置和所述网格上的所述多个位置处的所述模型化磁场值，导出所述区域的磁场校准函数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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