日亚化学工业株式会社西影治彦获国家专利权
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龙图腾网获悉日亚化学工业株式会社申请的专利半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011013779.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体元件的制造方法是由西影治彦;宫本佳典;细川泰伸设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体元件的制造方法，其能够提高成品率。半导体元件的制造方法具备：准备晶圆10的工序，晶圆在上表面15包含第一区域11和第二区域12，第二区域设于第一区域的周围并位于比第一区域低的位置；在晶圆的上表面形成由氮化物半导体构成的半导体层20的工序。在俯视时，第一区域在第一方向上的端部具有延伸突出部11b，第一方向是通过晶圆的中心并且与半导体层的m轴平行的方向，延伸突出部向从晶圆的中心朝向晶圆的端缘侧的方向延伸突出。延伸突出部具有平行于第三方向的第一侧面12c，第三方向是相对于与晶圆的第一方向上的端缘的第一切线平行的第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜的方向。
本发明授权半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备： 准备晶圆的工序，该晶圆由蓝宝石构成，在上表面包含第一区域和第二区域，所述第二区域设于所述第一区域的周围，并位于比所述第一区域低的位置； 使由氮化物半导体构成的半导体层在所述晶圆的上表面外延生长的工序； 在俯视时，所述第一区域在第一方向上的端部具有延伸突出部，所述第一方向是通过所述晶圆的中心并且与所述半导体层的m轴平行的方向，所述延伸突出部向从所述晶圆的所述中心朝向所述晶圆的端缘侧的方向延伸突出， 所述延伸突出部具有平行于第三方向的第一侧面，所述第三方向是相对于与所述晶圆的所述第一方向上的端缘的切线平行的第二方向以5°以上55°以下的角度倾斜的方向。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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