台湾积体电路制造股份有限公司柯忠廷获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011015999.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制造方法是由柯忠廷;黄泰钧;李志鸿;李资良;徐志安设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括形成突出高于隔离区域的顶表面的半导体鳍。隔离区域延伸到半导体衬底中。蚀刻半导体鳍的一部分以形成沟槽，该沟槽延伸得低于隔离区域的底表面并且延伸到半导体衬底中。该方法还包括：用第一电介质材料填充沟槽以形成第一鳍隔离区域；使第一鳍隔离区域凹陷以形成第一凹槽；并且用第二电介质材料填充第一凹槽。第一电介质材料和第二电介质材料组合形成第二鳍隔离区域。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 形成突出高于隔离区域的顶表面的半导体鳍，其中所述隔离区域延伸到半导体衬底中； 蚀刻所述半导体鳍的一部分以形成沟槽，其中所述沟槽延伸得低于所述隔离区域的底表面，并延伸到所述半导体衬底中； 用第一电介质材料填充所述沟槽以形成第一鳍隔离区域，所述第一鳍隔离区域延伸得低于所述隔离区域的底表面； 使所述第一鳍隔离区域凹陷以形成第一凹槽；以及 用第二电介质材料填充所述第一凹槽，其中，所述第一电介质材料和所述第二电介质材料组合形成第二鳍隔离区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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