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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种异质结双极晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010993656.3，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种异质结双极晶体管及其制造方法是由季明华;张汝京设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结双极晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种异质结双极晶体管及其制造方法，采用鳍替换技术，在衬底上形成鳍结构并在衬底中形成作为集电区的阱区，鳍片的底部连接到用作集电极的阱区。去除阱区对应的鳍片的第一部分，即挖空部分鳍片形成第一开口，然后沉积基区材料形成基极鳍，去除阱区对应的鳍片的剩余部分，即挖空鳍片的剩余部分形成第二开口，然后沉积基区，然后在基区上方形成发射区。分别在基极鳍和发射区外侧形成基区外延盖帽层和发射区外延盖帽层。上述方法过易于集成到FinFET技术平台上。本发明的异质结双极晶体管的等效的基极和集电极电阻较小，并且晶体管的漏电流低，电学性能优异。并且易于与FinFET器件集成，提高了器件的集成度。

本发明授权一种异质结双极晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底，在所述衬底上形成多个相互平行的长条状的鳍片，并且在相邻的鳍片之间形成隔离结构，所述隔离结构与所述鳍片齐平，所述鳍片包括第一鳍片区，所述第一鳍片区包括多个所述鳍片，所述鳍片沿长度方向分为第一部分和第二部分； 对所述衬底进行离子掺杂，在所述衬底中形成具有第二导电类型的阱区以形成集电区，所述阱区对应所述第一鳍片区； 去除所述第一鳍片区的所述鳍片的第一部分，以形成第一开口； 在所述第一开口中形成具有第一导电类型的第一半导体材料层以形成基极鳍，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 去除所述第一鳍片区的所述鳍片的第二部分，以形成第二开口； 在所述第二开口中形成所述第一半导体材料层，在所述第二开口中的所述第一半导体材料层形成基区，所述第二开口中的所述第一半导体材料层的厚度小于所述第二开口的高度；在所述基区上方的第二开口中形成具有第二导电类型的第二半导体材料层以形成发射区。

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