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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利射频芯片、信号收发机和通信设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114204247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010975335.0，技术领域涉及：H01Q1/22；该发明授权射频芯片、信号收发机和通信设备是由张鲁奇;李昆;唐先锋;骆彦行设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频芯片、信号收发机和通信设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种射频芯片信号收发机和通信设备，该射频芯片包括：芯片主体；耦合结构，包括：谐振体，形成有谐振腔，所述谐振腔的内壁为金属制；再分布层，配置在所述谐振腔上方，包括RDL介质层；辐射体，为金属制，形成为中心对称形状，配置在所述介质层的朝向所述谐振体的表面，收容在所述谐振腔内；馈电线，一端与芯片主体连接，另一端插入所述谐振腔内；封装结构，用于封装所述芯片主体，并覆盖所述再分布层，从而能够使芯片主体产生的信号高效耦合至聚合物传输线中，由于上述结构封装在芯片内，能够降低因配置芯片与耦合结构之间的连线产生的插损，进而提高耦合效率，并且，能够提升芯片与耦合结构的集成度，便于规模化加工。

本发明授权射频芯片、信号收发机和通信设备在权利要求书中公布了：1.一种射频芯片，其特征在于，包括： 芯片主体200，用于生成电磁信号或处理电磁信号； 耦合结构100，包括： 谐振体110，形成有谐振腔112和槽114，所述谐振腔112的内壁为金属制，所述谐振腔112的一端在所述谐振体110的顶面1102开口，所述谐振腔的另一端由金属材料封闭，所述谐振腔112的截面形成为中心对称形状，所述槽114连通所述谐振体110的外壁与所述谐振腔112的内壁； 再分布层RDL120，配置在所述顶面1102上方，包括RDL介质层124； 辐射体130，为金属制，形成为中心对称形状，配置在所述RDL介质层124的朝向所述谐振体110的表面，收容在所述谐振腔112内； 馈电线140，收容在所述槽114内，一端与所述芯片主体200连接，另一端插入所述谐振腔112内； 封装结构300，用于封装所述芯片主体200，并覆盖所述再分布层RDL120，其中，封装结构300上形成有用于收容金属连接器的通孔310，其中，所述金属连接器的一端与所述再分布层RDL120的背向所述谐振体110的表面抵接，所述金属连接器的另一端用于连接聚合物传输线缆，所述通孔310的截面形成为中心对称形状； 其中，所述辐射体130的对称中心、所述谐振腔112的对称中心、通孔310的对称中心同轴配置，且所述通孔310与所述谐振腔112之间的截面尺寸的偏差在第一预设范围内。

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