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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利一种用于抗单粒子翻转的FPGA加固系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111785310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010771094.8，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权一种用于抗单粒子翻转的FPGA加固系统及方法是由杨海波;赵承心;李先勤;牛晓阳;王瑶;周威;张月昭设计研发完成，并于2020-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于抗单粒子翻转的FPGA加固系统及方法在说明书摘要公布了：本发明属于数据处理技术领域，涉及一种用于抗单粒子翻转的FPGA加固系统，包括：SRAM型FPGA、FLASH型FPGA和FLASH存储器；FLASH型FPGA包括一普通管脚和一SPI管脚，普通管脚与SRAM型FPGA连接，FLASH型FPGA用于实时刷新SRAM型FPGA内部由于单粒子翻转产生的错误配置信息，SPI管脚与FLASH存储器连接。其选择Flash型FPGA对SRAM型FPGA进行刷新的抗辐射加固，其价格便宜，并可以多次反复烧写逻辑。

本发明授权一种用于抗单粒子翻转的FPGA加固系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于抗单粒子翻转的FPGA加固系统，其特征在于，包括：SRAM型FPGA、FLASH型FPGA和FLASH存储器； 所述FLASH型FPGA外围连接管脚包括一普通管脚和一SPI管脚，所述普通管脚与所述SRAM型FPGA连接，所述FLASH型FPGA用于实时刷新SRAM型FPGA内部由于单粒子翻转产生的错误信息，所述SPI管脚与所述FLASH存储器连接；所述SRAM型FPGA进行配置，同时通过表决与反馈模块判断是否存在错误信息，若存在则将所述错误信息传输至所述FLASH型FPGA，并根据FLASH型FPGA的指令对错误区域进行刷新，以修复所述错误信息； 所述SRAM型FPGA中的数据处理通路分区域处理，冗余逻辑块和配置控制块交替划分，每组冗余逻辑块和配置控制块都是一个三模冗余的设计；当某个所述冗余逻辑块产生错误信息时，只刷新所述错误信息对应的区域；所述区域包括三个冗余逻辑块，所述三个冗余逻辑块均与表决与反馈模块相连，所述表决与反馈模块根据多数优先原则给出最终结果，所述表决与反馈模块的一个输出端输出所述最终结果，所述表决与反馈模块的另一个输出端与配置控制块连接，所述配置控制块生成控制信号；通过所述区域的刷新技术和三模冗余联合使用来提高FPGA对辐射效应的容错性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院近代物理研究所，其通讯地址为：730013 甘肃省兰州市城关区南昌路509号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。