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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利提高色纯度的发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207849B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055755.5，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权提高色纯度的发光二极管是由金峻渊;S·梅佐阿里;J·香农;K·斯特里布利;M·阿齐兹设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高色纯度的发光二极管在说明书摘要公布了：提供一种发光二极管，具有LED层，所述LED层配置为从发光表面发射具有泵浦光波长的泵浦光，所述LED层包括多个III族氮化物层。在所述LED层的发光表面上设置容器层，容器表面包括开口，所述开口通过所述容器层到所述LED层的发光表面来限定容器容积。在所述容器容积中设置颜色转换层，所述颜色转换层配置为吸收泵浦光和发射转换光，所述转换光的转换光波长大于所述泵浦光波长。在开口上方的容器表面上设置透镜，所述透镜在所述透镜与所述颜色转换层相对的一侧上具有凸面。在所述透镜的凸面之上设置泵浦光反射器层压板，所述泵浦光反射器层压板具有阻带，所述阻带配置为反射以第一波长为中心的泵浦光。

本发明授权提高色纯度的发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管LED，包括： LED层，配置为从发光表面发射具有泵浦光波长的泵浦光，所述LED层包括多个III族氮化物层； 容器层，设置在所述LED层的所述发光表面上，所述容器层在所述容器层与所述发光表面相对的一侧上具有容器表面，所述容器表面包括开口，所述开口通过所述容器层到所述LED层的所述发光表面来限定容器容积； 颜色转换层，设置在所述容器容积内，所述颜色转换层配置为吸收泵浦光和发射转换光，所述转换光的转换光波长大于所述泵浦光波长；以及 透镜，设置在所述开口上方的所述容器表面上，所述透镜在所述透镜与所述颜色转换层相对的一侧上具有凸面； 泵浦光反射器层压板，设置在所述透镜的凸面之上，所述泵浦光反射器层压板具有阻带，所述阻带配置为反射以第一波长为中心的泵浦光，所述泵浦光反射器层压板包括： 第一界面层，设置在所述透镜的所述凸面上；所述第一界面层具有第一厚度和第一折射率，其中所述第一折射率和所述第一厚度的乘积为所述第一波长的八分之一； 多个层，由以下之间进行交替： 低反射层，具有第二折射率和第二厚度，其中所述第二折射率低于所述第一折射率；和 高反射层，具有第三厚度和高于所述第二折射率的第三折射率， 其中，每个所述低反射层的所述第二折射率和所述第二厚度的乘积为所述第一波长的四分之一，每个所述高反射层的所述第三折射率和所述第三厚度的乘积为所述第一波长的四分之一； 第二界面层，设置在所述多个层的低反射层上，所述第二界面层具有第四折射率和第四厚度，其中所述第四折射率和所述第四厚度的乘积为所述第一波长的八分之一，所述第四折射率大于所述第二折射率。

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