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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括具有栅极区域和绝缘区域的堆叠结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242397B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010671139.4，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权包括具有栅极区域和绝缘区域的堆叠结构的半导体器件是由林根元;白石千设计研发完成，并于2020-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括具有栅极区域和绝缘区域的堆叠结构的半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种包括具有栅极区域和绝缘区域的堆叠结构的半导体器件。所述半导体器件包括下部结构和在下部结构上延伸到连接区域中的堆叠结构，其中，堆叠结构包括栅极焊盘和模制焊盘。模制焊盘包括中间模制焊盘，中间模制焊盘包括第一中间模制焊盘和位于成对的第一中间模制焊盘之间的第二中间模制焊盘，每个第一中间模制焊盘具有在第一方向上的第一长度，第二中间模制焊盘具有在第一方向上的大于第一长度的第二长度，一个中间模制焊盘包括模制焊盘部分和位于模制焊盘部分上的绝缘突起部分，一个第一中间模制焊盘包括模制焊盘部分和绝缘突起部分，并且第二中间模制焊盘的中心区域不包括绝缘突起部分。

本发明授权包括具有栅极区域和绝缘区域的堆叠结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 下部结构，包括下部衬底、位于所述下部衬底上的上部衬底、位于所述下部衬底与所述上部衬底之间并且包括外围布线的外围电路区域以及穿透所述上部衬底的间隙填充绝缘层； 堆叠结构，位于所述下部结构上的存储单元阵列区域中并且延伸到所述下部结构上的连接区域中，其中，所述堆叠结构在所述连接区域中具有阶梯结构，其中，所述堆叠结构包括栅极区域和第一绝缘区域，其中，所述栅极区域位于所述存储单元阵列区域中并且延伸到所述连接区域中，并且其中，所述第一绝缘区域位于所述连接区域中； 覆盖绝缘层，位于所述堆叠结构上；以及 存储单元垂直结构，在所述存储单元阵列区域中位于所述栅极区域中， 其中，所述堆叠结构包括交替堆叠在所述下部结构上的多个第一层和多个第二层， 其中，所述多个第二层包括位于所述栅极区域中的多个栅极层、位于所述第一绝缘区域中的多个模制层、从所述多个栅极层延伸的多个栅极焊盘以及从至少一个所述模制层延伸的多个模制焊盘， 其中，所述多个栅极层均包括导电材料， 其中，所述多个模制层均包括绝缘材料， 其中，所述多个模制层包括一个或多个下部模制层、位于所述一个或多个下部模制层上的多个中间模制层以及位于所述多个中间模制层上的一个或多个浮置模制层， 其中，所述多个模制焊盘包括从所述多个中间模制层中的至少一个中间模制层延伸的多个中间模制焊盘， 其中，所述多个中间模制焊盘包括沿第一方向下降的阶梯结构， 其中，所述第一方向从所述存储单元阵列区域延伸到所述连接区域， 其中，所述多个中间模制焊盘包括多个第一中间模制焊盘和位于所述多个第一中间模制焊盘中的成对的第一中间模制焊盘之间的第二中间模制焊盘， 其中，所述多个第一中间模制焊盘均具有在所述第一方向上的第一长度， 其中，所述第二中间模制焊盘具有在所述第一方向上的大于所述第一长度的第二长度， 其中，所述多个中间模制焊盘中的至少一个中间模制焊盘包括模制焊盘部分和位于所述模制焊盘部分上的绝缘突起部分， 其中，所述多个第一中间模制焊盘中的至少一个第一中间模制焊盘包括所述模制焊盘部分和所述绝缘突起部分，并且 其中，所述第二中间模制焊盘的至少中心区域不包括所述绝缘突起部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。