深圳市中光工业技术研究院郑兆祯获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市中光工业技术研究院申请的专利一种半导体芯片的制作方法及激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113783103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010441131.9，技术领域涉及：H01S5/02257；该发明授权一种半导体芯片的制作方法及激光器是由郑兆祯;吴阳烽;焦旺;王菊;廖桂波;丁新琪;涂庆明设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体芯片的制作方法及激光器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体芯片的制作方法以及激光器，该方法包括：提供一具有初步锌扩散的外延片；在外延片的至少部分表面沉积应变层，以使得半导体芯片的发射光谱发生蓝移，其中，至少部分表面包括窗口区；对外延片与应变层进行加热，以提高锌在窗口区的扩散；其中，在加热后应变层的薄膜应变大于加热前的薄膜应变。通过上述方式，本申请能够加速锌的扩散，提升生产效率，提高抗灾变性光学镜面损伤的能力。
本发明授权一种半导体芯片的制作方法及激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片的制作方法，其特征在于，包括： 提供一具有初步锌扩散的外延片； 在所述外延片的至少部分表面沉积应变层，以使得半导体芯片的发射光谱发生蓝移，其中，所述至少部分表面包括窗口区； 对所述外延片与所述应变层进行加热，以提高锌在窗口区扩散； 其中，在加热后所述应变层的薄膜应变大于加热前的薄膜应变。
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