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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利紫外LED及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080097534.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权紫外LED及其制作方法是由程凯;刘撰设计研发完成，并于2020-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本紫外LED及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种紫外LED及其制作方法，制作方法中，在电子提供层上形成N型过渡层和或在空穴提供层上形成P型过渡层，电子提供层与空穴提供层的材料都至少包括Al、Ga、N三种元素，N型过渡层与P型过渡层的材料为GaN；在N型过渡层上形成N电极，N型过渡层与N电极之间形成欧姆接触；在P型过渡层上形成P电极，P型过渡层与P电极之间形成欧姆接触。相对于在含铝GaN基材料上直接形成欧姆接触电极，可以避免退火，以及避免退火过程中的高温造成电子提供层性能下降，有源层中电子空穴复合率降低。

本发明授权紫外LED及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外LED，其特征在于，包括： 电子提供层（11）、空穴提供层（13）以及所述电子提供层（11）与所述空穴提供层（13）之间的有源层（12），所述电子提供层（11）与所述空穴提供层（13）的材料都至少包括Al、Ga、N三种元素；所述电子提供层（11）上具有N型过渡层（141），所述电子提供层（11）与所述N型过渡层（141）之间具有N型渐变材料层（161）；所述N型过渡层（141）的材料为GaN；所述N型过渡层（141）上设置有N电极（151），所述N型过渡层（141）与所述N电极（151）之间形成欧姆接触，以使所述N电极（151）与所述N型过渡层（141）之间不需退火就能形成低接触电阻； 所述空穴提供层（13）上具有P型过渡层（142），所述P型过渡层（142）的材料为GaN；所述P型过渡层（142）上设置有P电极（152），所述P型过渡层（142）与所述P电极（152）之间形成欧姆接触； 其中，所述空穴提供层（13）与所述P型过渡层（142）之间具有P型渐变材料层（162）； 所述N型过渡层（141）为N型离子重掺杂GaN层（141'），和所述P型过渡层（142）为P型离子重掺杂GaN层（142'）； 所述P型离子重掺杂GaN层（142'）和所述P电极（152）之间具有在所述P型离子重掺杂GaN层（142'）上依次叠置的N型渐变材料层（161）和N型离子重掺杂GaN层（141'）。

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