三星电子株式会社林根元获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有堆叠结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010391986.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权具有堆叠结构的半导体装置是由林根元设计研发完成，并于2020-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有堆叠结构的半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种具有堆叠结构的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元阵列区和垫区；堆叠结构，包括交替地堆叠在基底上并且在垫区中具有阶梯形状的栅电极和成型绝缘层；第一分离区，在垫区中穿透堆叠结构，在第一方向上延伸，并且包括第一虚设绝缘层和第二虚设绝缘层，第一虚设绝缘层覆盖第一分离区的侧壁并且包括覆盖栅电极的部分的水平部分，并且第二虚设绝缘层设置在第一虚设绝缘层之间；延伸部分，在垂直于第一方向的第二方向上从第一虚设绝缘层朝向成型绝缘层延伸；第二分离区，划分堆叠结构并且在第一方向上延伸；以及单元接触插塞，穿透水平部分并且连接到栅电极。
本发明授权具有堆叠结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底，具有单元阵列区和垫区； 堆叠结构，包括交替地堆叠在所述基底上并且在所述垫区中具有阶梯形状的栅电极和成型绝缘层； 多个第一分离区，竖直地穿透所述堆叠结构，在所述垫区中在第一方向上延伸，在垂直于所述第一方向的第二方向上并排设置，并且包括第一虚设绝缘层和第二虚设绝缘层，其中，所述第一虚设绝缘层覆盖所述多个第一分离区的内侧壁并且包括覆盖所述栅电极中的上栅电极的上表面的部分的水平部分，并且所述第二虚设绝缘层设置在所述第一虚设绝缘层之间； 延伸部分，在所述第二方向上从所述第一虚设绝缘层朝向所述成型绝缘层延伸；以及 多个第二分离区，将所述堆叠结构划分为多个区域，并且在所述第一方向上延伸，并且 其中，所述多个第一分离区中的每个在所述第一方向上设置有多个单元接触插塞，并且所述多个单元接触插塞在所述第一虚设绝缘层中穿透所述水平部分，并且连接到所述栅电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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