台湾积体电路制造股份有限公司李健玮获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010277936.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置的形成方法是由李健玮;宋学昌;李彦儒设计研发完成，并于2020-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法，其是以高温热处理和选择性的氢等离子体处理来处理源极漏极凹口的方式。高温热处理将凹口中的表面变平滑，并移除氧化物以及蚀刻副产物。氢等离子体处理垂直及水平地扩大凹口，并抑制凹口中的表面的进一步氧化。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 从一基底形成一鳍； 在该鳍上方形成一栅极结构； 在该栅极结构的一侧上蚀刻一源极漏极凹口； 将该源极漏极凹口加热至温度大于700℃且小于900℃，进而通过缩小该源极漏极凹口的一表面的均方根6％至12％，使该表面变平滑，其中将该源极漏极凹口加热期间，一金属层覆盖一基座，该基座支撑该基底；以及 在该源极漏极凹口中成长一外延源极漏极区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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