德州仪器公司高见泽彰一获国家专利权
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龙图腾网获悉德州仪器公司申请的专利氮化物半导体衬底及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113874559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080035782.6，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权氮化物半导体衬底及其制造方法是由高见泽彰一设计研发完成，并于2020-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体衬底及其制造方法在说明书摘要公布了：[问题]当在硅单晶衬底上外延生长氮化物半导体层时，归因于晶格失配及热膨胀系数的差异而发生畸变，且发生大的翘曲及裂纹，这妨碍了装置生产。另一个问题是无法获得具有良好结晶度的氮化物半导体。[解决方案]归因于在将氮化物半导体外延生长到硅单晶衬底上期间产生的晶格失配的畸变及归因于在外延生长氮化物半导体之后的冷却过程期间发生的所述热膨胀系数的差异的热畸变不仅通过所述氮化物半导体中的缓冲层来减轻，而且还通过在所述硅单晶衬底中平行于其表面形成的错配位错层来减轻。这达成具有极好结晶度的氮化物半导体衬底，而不会发生裂纹或大的翘曲。
本发明授权氮化物半导体衬底及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体衬底，其包括硅衬底以及在所述硅衬底上外延生长的氮化物半导体，其中在所述硅衬底中存在错配位错，其中所述错配位错的密度在深度方向上达到最大值的位置位于距所述硅衬底与所述氮化物半导体之间的界面1.5μm以上的位置处，且其中所述硅衬底包括具有第一掺杂浓度的硅单晶衬底和在所述硅单晶衬底上形成的硅外延层，所述硅外延层具有低于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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