吴勇军获国家专利权
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龙图腾网获悉吴勇军申请的专利高密度封装引线框架结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111128945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010069586.2，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权高密度封装引线框架结构是由吴勇军;张春辉设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本高密度封装引线框架结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高密度封装引线框架结构，包括依次层叠设置的底部框架、至少一个引线框架和多个用于安装芯片且具有导电性的焊盘或凸起；每个所述引线框架包括自所述底部框架的顶面依次层叠设置的缓冲层和RDL线路层，所述焊盘或凸起设置于最远离所述底部框架的引线框架的RDL线路层上表面；所述缓冲层为低CTE值绝缘材料层，所述RDL线路层通过导通结构连接于所述底部框架的表面。本发明通过设置金属陶瓷混合型的引线框架结构，极大地解决了由于硅基与金属基板膨胀系数差值过大无法高密度安装芯片的问题，同时可以克服翘曲和均匀性不足这些缺陷。
本发明授权高密度封装引线框架结构在权利要求书中公布了：1.一种高密度封装引线框架结构，其特征在于，包括依次层叠设置的底部框架、至少一个引线框架和多个用于安装芯片且具有导电性的焊盘或凸起；每个引线框架包括自所述底部框架的顶面依次层叠设置的缓冲层和RDL线路层，所述焊盘或凸起设置于最远离所述底部框架的引线框架的RDL线路层上表面；所述缓冲层为低CTE值绝缘材料层，所述RDL线路层通过导通结构连接于所述底部框架的表面； 所述底部框架远离所述缓冲层表面设置有焊盘层，用于连接所述底部框架和基板； 所述至少一个引线框架还包括导气槽，所述导气槽形成的气流通道连通所述底部框架和安装的芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吴勇军，其通讯地址为：415300 湖南省常德市石门县夹山镇三板桥村南门6组06010号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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