买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110610982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910814838.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种肖特基二极管及其制备方法是由宋安英;张瑜洁;刘刚;单体伟;陈彤设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种肖特基二极管包括：一N+衬底和位于所述N+衬底之上的N‑外延层；一肖特基金属层单元，所述肖特基金属层单元覆盖于所述N‑外延层表面，所述肖特基金属层单元包括复数层肖特基金属层，且相邻两层的肖特基金属层的金属不同；一位于所述肖特基金属层单元之上的阳极金属；以及，一位于所述N+衬底另一表面的阴极金属；本发明还提供一种肖特基二极管的制备方法，可以相对灵活地调整肖特基势垒，得到理想的正向压降和可接受的反向漏电流。

本发明授权一种肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于：包括： 一N+衬底和位于所述N+衬底之上的N-外延层，所述N-外延层上间隔设有复数个p+注入区； 一肖特基金属层单元，所述肖特基金属层单元覆盖于所述N-外延层表面，所述肖特基金属层单元包括多层肖特基金属层，相邻两层肖特基金属层的金属功函数不同，所述多层为大于两层；其中，奇数层的肖特基金属的金属功函数小于偶数层肖特基金属的金属功函数； 正向导通时，电子流经肖特基接触区域，即为金属与碳化硅外延层接触的肖特基接触区域导电，正向压降V F公式：； 其中V F为正向压降，φ B为肖特基势垒；当半导体-金属界面处的肖特基势垒降低后，V F也降低，从而使二极管的功耗减小；而肖特基势垒是金属功函数与半导体亲和势的差值，在半导体材料确定的情况下，通过改变金属种类改变肖特基势垒，为了得到较低的肖特基势垒φ B，采用功函数小的金属作为直接与半导体接触的第一肖特基金属； 正向压降和反向漏电是一对呈现制约关系的物理量，肖特基势垒太低同时意味着反向漏电流的增大，反向漏电流I R公式：； 随着反向偏压V R的增大，镜像力降低效应将进一步降低肖特基势垒，使反向漏电流增加；此时需要功函数大的金属，调节肖特基势垒至合适的大小，作为第二肖特基金属；根据需求、正向压降V F公式以及反向漏电流I R公式，选择所需的第一肖特基金属和第二肖特基金属；所述肖特基金属层单元的厚度为150~250nm； 一位于所述肖特基金属层单元之上的阳极金属； 以及，一位于所述N+衬底另一表面的阴极金属。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。