深圳帧观德芯科技有限公司刘雨润获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳帧观德芯科技有限公司申请的专利辐射检测装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113557449B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980093742.4，技术领域涉及：G01T3/08；该发明授权辐射检测装置及其制备方法是由刘雨润;曹培炎设计研发完成，并于2019-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本辐射检测装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本文公开了一种用于检测辐射的装置及其制备方法。该方法可以包括在半导体衬底102中形成凹部104，其中所述半导体衬底102的一部分107延伸到所述凹部104中并且被所述凹部104包围；在所述凹部104中形成半导体单晶106，所述半导体单晶106具有与所述半导体衬底102不同的组成；在所述半导体衬底102中形成第一掺杂半导体区108；在所述半导体衬底102中形成第二掺杂半导体区109；其中所述第一掺杂半导体区108和所述第二掺杂半导体区109形成将所述部分107与所述半导体衬底102的其余部分分开的p‑n结。
本发明授权辐射检测装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 在半导体衬底中形成凹部，其中所述半导体衬底的一部分延伸到所述凹部中并且被所述凹部包围； 在所述凹部中形成半导体单晶，所述半导体单晶具有与所述半导体衬底不同的组成； 在所述半导体衬底中形成第一掺杂半导体区； 在所述半导体衬底中形成第二掺杂半导体区； 其中所述第一掺杂半导体区和所述第二掺杂半导体区形成将所述半导体衬底的所述部分与所述半导体衬底的其余部分分开的p-n结。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳帧观德芯科技有限公司，其通讯地址为：518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号