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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利存储器及信号处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110415748B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810399279.3，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权存储器及信号处理方法是由季秉武;赵坦夫;周云明;樊敏;李志彦;王云鹏设计研发完成，并于2018-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及信号处理方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储器及信号处理方法。该存储器包括：锁存电路、译码电路、存储阵列、读电路和写电路。其中，存储阵列包括M行N列位单元，每1个位单元用于存储1比特数据，位单元包括第一端口和第二端口；锁存电路用于接收第一地址、第二地址；译码电路用于根据第一地址确定第一位单元、根据第二地址确定第二位单元；写电路用于接收数据，并通过第一位单元的第一端口向第一位单元写入数据；读电路用于通过第一位单元的第一端口读出第一位单元存储的数据，还用于通过第二位单元的第二端口读出第二位单元存储的数据。实施本申请，能够实现1R1RW功能。

本发明授权存储器及信号处理方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括：锁存电路、译码电路、存储阵列、读电路和写电路，所述锁存电路连接所述译码电路，所述存储阵列连接所述译码电路、所述读电路和所述写电路，所述读电路包括：第一灵敏放大器和第二灵敏放大器，所述第一灵敏放大器为SA，所述第二灵敏放大器为ASA，其中， 所述存储阵列包括M行N列位单元，每1个位单元用于存储1比特数据，所述位单元包括第一端口和第二端口； 所述存储阵列第i行第j列的位单元包括8个MOS管M1-M8，M1、M3、M5、M6、M7和M8为N-MOS管，M2和M4为P-MOS管，其中， M2的源极和M4的源极连接高电平，M1的源极和M3的源极接低电平； M6的源极、M2的栅极、M1的栅极、M4的漏极和M3的漏极连接； M5的源极、M4的栅极、M3的栅极、M2的漏极和M1的漏极连接； M5的栅极和M6的栅极连接第j根读写字线；M5的漏极连接第i根正位线，M6的漏极连接第i根反位线；M8的栅极连接第j根读字线，M8的漏极连接第i根读位线； M8的源极和M7的漏极连接，M7的源极接低电平； 其中，所述第一灵敏放大器的第一输入端连接所述第i根正位线，第二输入端连接所述第i根反位线； 其中，所述第二灵敏放大器的输入端连接所述第i根读位线； 其中，1≤i≤M，1≤j≤N，i、j为正整数；所述第i根正位线、所述第i根反位线和所述第j根读写字线构成所述第一端口，所述第i根读位线和所述第j根读字线构成所述第二端口； 所述锁存电路用于接收第一地址、第二地址； 所述译码电路用于根据所述第一地址在M*N个位单元中确定第一位单元，还用于根据所述第二地址在所述M*N个位单元中确定第二位单元； 所述写电路用于接收数据，并通过所述第一位单元的第一端口，向所述第一位单元写入接收到的所述数据； 所述读电路用于通过所述第一灵敏放大器，对所述第一输入端和所述第二输入端接收到的电压的差值进行放大处理后，通过所述第一灵敏放大器的输出端输出，所述读电路还用于通过所述第二灵敏放大器，对所述第二灵敏放大器的输入端接收到的电压进行放大处理后，通过所述第二灵敏放大器的输出端输出。

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