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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210008926.X，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权发光元件是由林羿宏;陈昭兴;王佳琨;曾咨耀;余仁杰;陈冠吾设计研发完成，并于2018-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部，围绕半导体结构，且露出第一半导体层的一第一表面；一透明导电层形成于第二半导体层的一表面上；一绝缘结构，包含一布拉格反射镜DBR结构，形成于第一半导体层的第一表面并覆盖第二半导体层的表面，包含一第一开口以及一第二开口；一第一电极，形成在环绕部上及第二半导体层上；以及一第二电极，形成在第二半导体层上；其中第一电极和第二电极分别包括包括铂Pt的一打线层以与焊料相接触，第一电极和第二电极相隔一距离小于50微米。

本发明授权发光元件在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，其特征在于，包含： 半导体结构，包含第一半导体层，第二半导体层，及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间； 通孔，穿过该第二半导体层和该活性层，且露出该第一半导体层的第一表面； 透明导电层，形成于该第二半导体层的第二表面上； 绝缘结构，包含布拉格反射镜DBR结构，且至少包括一第一绝缘结构和一第三绝缘结构，该第一绝缘结构形成于该第一半导体层的该第一表面并覆盖该第二半导体层的该第二表面，包含第一绝缘结构第一开口形成在该通孔上以及第一绝缘结构第二开口形成在该第二半导体层的第二表面上； 第一电极，形成在该通孔上及该第二半导体层上； 第二电极，形成在该透明导电层上，其中该第一电极和该第二电极互不重叠且相隔一距离小于50微米；以及 该第三绝缘结构形成于该第一电极和该第二电极上，并具有露出部分该第一电极的第三绝缘结构第一开口以及露出部分该第二电极的第三绝缘结构第二开口， 第二薄焊垫，形成在该第三绝缘结构第二开口中，其中该第二薄焊垫包含一上表面未被该第三绝缘结构所覆盖且低于该第三绝缘结构的一上表面，且该第二薄焊垫具有一厚度小于该第三绝缘结构的一厚度。

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