英特尔公司N.K.托马斯获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利量子点器件的量子阱堆叠获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111108604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780095311.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权量子点器件的量子阱堆叠是由N.K.托马斯;J.S.克拉克;J.M.托雷斯;R.皮拉里塞蒂;K.辛赫;P.阿明;H.C.乔治;J.M.罗伯茨;R.考蒂洛;D.J.米查拉克;Z.R.约斯科维茨;L.兰泊特设计研发完成，并于2017-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点器件的量子阱堆叠在说明书摘要公布了：本文公开了量子点器件以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，一种量子点器件可以包括：包括量子阱层的量子阱堆叠，其中量子阱层包括同位素纯化的材料；在所述量子阱堆叠上方的栅极电介质；以及所述栅极电介质上方的栅极金属，其中所述栅极电介质在所述量子阱层和所述栅极金属之间。
本发明授权量子点器件的量子阱堆叠在权利要求书中公布了：1.一种量子点器件，包括： 包括量子阱层的量子阱堆叠，其中所述量子阱层包括同位素纯化的材料； 所述量子阱堆叠上方的栅极电介质；以及 所述栅极电介质上方的栅极金属，其中所述栅极电介质位于所述量子阱层和所述栅极金属之间， 其中，所述量子阱堆叠进一步包括缓冲层，所述缓冲层由与所述量子阱层相同的材料形成并且所述量子阱层在所述缓冲层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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