微玖(苏州)光电科技有限公司王程功获国家专利权
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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种提升Micro LED光效的微显示结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510979162.2，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种提升Micro LED光效的微显示结构及制备方法是由王程功;黄振;朱平;张宇设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升Micro LED光效的微显示结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种提升MicroLED光效的微显示结构及制备方法，结构包括：硅基CMOS驱动面板；由外延层形成的LED单元，所述LED单元与所述硅基CMOS驱动面板通过键合金属层连接，且所述LED单元的阳极独立设置；包裹于所述LED单元侧壁的电子阻挡层，所述电子阻挡层表面刻蚀形成光学提取腔；覆盖所述LED单元顶部的导电膜层，所述导电膜层将各LED单元的阴极共连；方法包括S1，第一键合金属层制备；S2，透明导电膜层制备；S3，外延层金属层制备；S4，共晶键合与衬底处理；S5，LED单元形成；S6，阳极独立；S7，电子阻挡层生长；S8，光学提取腔形成；S9，阴极共连；本申请光效提升显著，垂直方向亮度大幅度提升，适合大规模量产，制备成本低；大大增强了器件寿命。
本发明授权一种提升Micro LED光效的微显示结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提升MicroLED光效的微显示结构，其特征在于，包括： 硅基CMOS驱动面板，所述硅基CMOS驱动面板表面设有键合金属层； 由外延层形成的LED单元，所述LED单元与所述硅基CMOS驱动面板通过键合金属层连接，且所述LED单元的阳极独立设置； 包裹于所述LED单元侧壁的电子阻挡层，所述电子阻挡层表面刻蚀形成光学提取腔； 覆盖所述LED单元顶部的导电膜层，所述导电膜层将各LED单元的阴极共连。
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