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龙图腾网获悉华侨大学申请的专利一种碳化硅研磨表面残余应力预测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120449516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510941051.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种碳化硅研磨表面残余应力预测方法及装置是由邓朝晖;李松宴;杨晓;卓荣锦设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅研磨表面残余应力预测方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供的一种碳化硅研磨表面残余应力预测方法及装置，包括：获取碳化硅材料的力学响应数据，以构建碳化硅仿真模型；设置研磨参数，用以对碳化硅仿真模型进行研磨受力模拟，得到初步的表面残余应力预测结果；通过贝叶斯推断方法和蒙特卡洛方法，基于初步的表面残余应力预测结果和研磨参数，对碳化硅仿真模型的模型参数进行优化，得到最优模型参数；利用最优模型参数和研磨参数，对碳化硅仿真模型进行研磨受力模拟，得到优化的表面残余应力预测结果。利用基于贝叶斯推断方法和蒙特卡洛方法进行参数优化后的碳化硅仿真模型进行研磨受力模拟，得到优化的表面残余应力预测结果，实现对碳化硅进行研磨后的表面残余应力进行预测。

本发明授权一种碳化硅研磨表面残余应力预测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅研磨表面残余应力预测方法，其特征在于，包括： 获取碳化硅材料的力学响应数据； 根据所述力学响应数据，构建得到碳化硅仿真模型； 设置研磨参数，用以对所述碳化硅仿真模型进行研磨受力模拟，得到初步的表面残余应力预测结果； 基于所述初步的表面残余应力预测结果，运用贝叶斯推断方法，计算得到所述碳化硅仿真模型的模型参数的后验分布：通过对所述研磨参数进行实际测量，得到实际的SiC残余应力数据；构建JH-2模型的贝叶斯优化框架，设定所述JH-2模型的先验分布为均匀分布，采用所述实际的SiC残余应力数据构建高斯分布，衡量初步的表面残余应力预测结果与实际的SiC残余应力数据的拟合程度，利用贝叶斯方法构建的似然函数，以仿真预测值为先验数据，以实际数据为似然数据，计算得到碳化硅仿真模型的模型参数的后验分布； 通过蒙特卡洛方法，优化所述后验分布，得到优化后的后验分布：利用所述蒙特卡洛方法中的MH采样方法，优化所述JH-2模型的参数，设定采样初始值和自适应调整参数步长，并在每次迭代中生成候选参数，同时计算更新后所述JH-2模型的参数接受概率，采用作为接受准则，其中，为当前的模型参数，为更新后的模型参数，如果新参数符合优化条件，则更新模型参数，否则保留原参数值； 根据所述优化后的后验分布，对所述碳化硅仿真模型的模型参数进行优化，得到最优模型参数； 利用所述最优模型参数，对所述碳化硅仿真模型进行优化，得到优化后的碳化硅仿真模型； 基于所述研磨参数，对所述优化后的碳化硅仿真模型进行研磨受力模拟，得到优化的表面残余应力预测结果。

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