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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利异型靶材同步自清洁的PVD预清洁腔体及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120425314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510926874.8，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权异型靶材同步自清洁的PVD预清洁腔体及方法是由许磊;刘超;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本异型靶材同步自清洁的PVD预清洁腔体及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种异型靶材同步自清洁的PVD预清洁腔体及方法，异型靶材同步自清洁的PVD预清洁腔体包括遮挡件、ICP发生件、自偏压晶圆载台、异型靶材组件、电磁铁组件；异型靶材组件的结构使得铝粒子的溅射区域既能够覆盖遮挡件的内壁，又不会溅射到晶圆载台的正面，不会影响晶圆表面的清洁过程，工艺腔体的自清洁过程无需中断晶圆工艺的加工过程，无需额外引入溅射材料。

本发明授权异型靶材同步自清洁的PVD预清洁腔体及方法在权利要求书中公布了：1.一种异型靶材同步自清洁的PVD预清洁腔体，包括工艺腔本体（10），其特征在于，所述工艺腔本体（10）内设置有： 遮挡件（100），配置为开口朝下的球面形结构，其内侧形成工艺空间； ICP发生件（200），将所述工艺空间内的工艺气体电离成等离子体； 自偏压晶圆载台（300），沿竖直方向在载台低位和载台高位之间升降，将等离子体中的气体离子向下牵引； 异型靶材组件（400），对应设置在所述遮挡件（100）的开口处，包括铝件（410）、绝缘件（420），所述铝件（410）具有自上而下逐渐收缩的内壁，以使得所述铝件（410）的内表面与水平方向形成0°-90°的溅射倾角，所述溅射倾角使溅射铝粒子的轨迹覆盖遮挡件（100）的内壁而避开晶圆表面，所述绝缘件（420）包被在所述铝件（410）的下边缘处； 电磁铁组件（500），设置在所述异型靶材组件（400）外围，用于束缚和延长电子在所述异型靶材组件（400）内侧的运动轨迹； 其中，当所述自偏压晶圆载台（300）处于载台高位时，其承载面与所述异型靶材组件（400）的下开口保持0.5mm-10mm的垂直距离； 所述铝件（410）包括： 收缩部（411），其直径自上而下逐渐缩小； 上水平部（412），衔接于所述收缩部（411）的上侧边沿处； 下水平部（413），衔接于所述收缩部（411）的下侧边沿处； 其中，所述收缩部（411）的内侧面为R20-R50的圆弧面或锥面。

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