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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、半导体器件和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510920587.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法、半导体器件和电子设备是由王爽;许凯;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法、半导体器件和电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其形成方法、半导体器件和电子设备，其中，半导体结构的形成方法包括：形成漂移区，所述漂移区在第一方向上与第一区域相邻设置，所述第一方向与所述漂移区的顶面平行；形成第一栅极、第二栅极以及第一场介质层，所述第一场介质层覆盖所述第一区域和所述漂移区，所述第一栅极覆盖所述第一区域上方的第一场介质层，所述第二栅极覆盖所述漂移区上方的第一场介质层，所述第一栅极沿所述第一方向与所述第二栅极间隔设置；形成场板，所述场板覆盖所述第一场介质层，所述场板与所述第二栅极间隔设置，并在所述第一方向上位于所述第二栅极远离所述第一栅极的一侧。采用上述技术方案，能够改善半导体结构的可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法、半导体器件和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成漂移区，其中，所述漂移区在第一方向上与第一区域相邻设置，所述第一方向与所述漂移区的顶面平行； 形成第一栅极、第二栅极以及第一场介质层，其中，所述第一场介质层覆盖所述第一区域和所述漂移区，所述第一栅极覆盖所述第一区域上方的第一场介质层，所述第二栅极覆盖所述漂移区上方的第一场介质层，所述第一栅极沿所述第一方向与所述第二栅极间隔设置； 形成场板，其中，所述场板覆盖所述第一场介质层，所述场板与所述第二栅极间隔设置，并在所述第一方向上位于所述第二栅极远离所述第一栅极的一侧； 其中，所述第二栅极包括栅极主体与多个栅极延伸部，所述栅极主体沿第二方向延伸，各个栅极延伸部在所述第二方向上间隔排布，各个栅极延伸部的一端分别与所述栅极主体连接，且另一端分别沿所述第一方向延伸，所述第二方向与所述漂移区的顶面平行，且与所述第一方向垂直； 所述场板包括场板主体与多个场板延伸部，所述场板主体沿所述第二方向延伸，各个场板延伸部在所述第二方向上间隔排布，各个场板延伸部的一端分别与所述场板主体连接，且另一端分别沿所述第一方向延伸； 所述栅极延伸部位于所述栅极主体与所述场板主体之间； 所述场板延伸部位于所述栅极主体与所述场板主体之间； 各个场板延伸部和各个场板延伸部在所述第二方向上交替间隔排布。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。