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龙图腾网获悉南通恒锐半导体有限公司申请的专利一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120400981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510908426.5，技术领域涉及：C30B25/04；该发明授权一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法是由袁书文;李京波;张梦龙;孙一鸣;张海平;罗昆明设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法，本发明采用金属有机化学气相沉积法，在碳化硅衬底片上依次生长二氧化硅掩膜层、氮化铝低温缓冲层、氮化铝高温缓冲层与氧化镓薄膜层；其中，二氧化硅掩膜层中含有少量的氮化铝，能迅速传递热源，进而能有效提高氧化镓薄膜的热导率；对以碳化硅为衬底的二氧化硅掩膜层进行了两次等离子体刻蚀，增加了氮化铝缓冲层面平整度，进而有效抑制了氧化镓生长过程中的位错和台阶型缺陷，提高了氧化镓薄膜生长质量。本申请通过异质外延技术，不仅能减少氧化镓薄膜的生产成本，同时使其具有较高的热导率，与现有技术相比，具有广泛的应用前景。

本发明授权一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1.取半绝缘的碳化硅置于去离子水超声清洗10-15min，再用SPM溶液清洗10-15min，最后用超纯水清洗5-7min，置于75-80℃条件下干燥3-5min，得到碳化硅衬底层； 步骤S2.将硅烷供给到放置有碳化硅衬底的反应腔体中，并利用等离子体增强化学气相沉积法在碳化硅上沉积二氧化硅薄膜，设置沉积温度为340-360°C，产生等离子体的射频功率为330-350W，以氮气为载体，分别设置三甲基铝和NH3的载气流量为A1和B1，并持续通入10-15s，再设置硅烷的气体流量为60-70sccm，将所得二氧化硅薄膜进行退火，得到以碳化硅为衬底的二氧化硅掩膜层； 步骤S3.以氮气为载体，CHF3为刻蚀气体，对以碳化硅为衬底的二氧化硅掩膜层进行第一次等离子体刻蚀，随后用SPM溶液清洗12-15min，再用超纯水清洗7-12min，置于75-80℃条件下干燥3-5min，得到一次等离子体刻蚀的碳化硅衬底； 步骤S4.以氮气为载体，CHF3为刻蚀气体，对以碳化硅为衬底的二氧化硅掩膜层进行第二次等离子体刻蚀，随后用SPM溶液清洗12-15min，再用超纯水清洗7-12min，置于75-80℃条件下干燥3-5min，得到二次等离子体刻蚀的碳化硅衬底； 步骤S5.将经过二次等离子体刻蚀的碳化硅衬底装入金属有机化学气相沉积腔体进行外延工艺，设置反应腔压力为40Torr，以三甲基铝和NH3作为Al源和N源、N2为载气，通过控制流量计设置三甲基铝的载气流量为A2，预铺Al5-6s后，再控制流量计设置NH3的载气流量为B2，设置生长温度为C1形成低温氮化铝缓冲层，再设置生长温度为C2形成高温氮化铝缓冲层； 步骤S6.调控反应室压力为35-40mTorr，反应腔温度设置为C3，采用三乙基镓和氧气作为Ga源和O源，N2为载气，控制流量计设置三乙基镓和氧气的载气流量，即得碳化硅外延氧化镓薄膜； 所述二氧化硅掩膜层的厚度为90-110nm。

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