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龙图腾网获悉南通恒锐半导体有限公司申请的专利一种基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510908471.0，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法是由韩理想;李京波;张梦龙;王小周;张海平;罗昆明设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法，本发明通过清洗、沉积二氧化硅层、刻蚀、离子注入、高温退火、离子激活、再次沉积二氧化硅层、溅射离子等工序制备得到了二极管基于碳化硅厚膜外延片的二极管；又通过调整外延生长时的碳硅比等生长条件参数，实现对碳化硅厚膜外延片表面大凹坑缺陷形貌的控制，使得大凹坑缺陷控制为长条形，从而使电场聚集效应较小，相关的器件栅氧稳定性更好；并且在制备过程中使用含纳米微粒的光刻胶，纳米微粒在光照下会产生光生载流子还可以捕获电子，从而大幅提升了器件的响应度；因此本发明制备的二极管具有更广泛的应用前景。

本发明授权一种基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅厚膜外延片的二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 步骤S1.用食人鱼溶液清洗碳化硅厚膜外延片3-5次，并用氮气吹干后生长一层厚度为100-200nm厚的二氧化硅，得到沉积片； 步骤S2.用光刻胶对沉积片掩膜，去除光刻胶后进行等离子体刻蚀，刻蚀深度为3-5μm，得到刻蚀片； 步骤S3.将晶圆送入离子注入机，对刻蚀片进行Al+离子注入，之后沉积一层厚度为1-3μm的二氧化硅，再在氮气氛围下于1000-1100℃下处理15-20min，得到激活片； 步骤S4.在激活片表面沉积一层5-8μm厚的二氧化硅，之后在背面溅射一层厚度为3-5μm的镍，快速退火，得到欧姆接触片； 步骤S5.用大P区开孔板对欧姆接触片正面进行深度为5-10μm刻蚀，之后用大P区金属定义板进行光刻，再在大P区溅射一层硼离子薄膜，最后剥离并快速退火，得到大P区开孔片； 步骤S6.在片表面沉积一层3-5μm厚的SiO2和Si3N4，之后用有源区开孔板进行深度为3-5μm的刻蚀，得到有源区开孔片； 步骤S7.用肖特基区开孔板对有源区开孔片进行5-10μm厚的刻蚀，之后溅射一层13-15μm厚的Ti金属，再用阳极金属定义板进行深度为1-2μm的刻蚀，最后通过湿法腐蚀完成正面金属的图形化后得到二极管； 所述碳化硅厚膜外延片的制备方法如下： 步骤A1.以氮气为掺杂气体，氮气的掺杂浓度为1017-1019cm-3，在温度为1520-1690℃、腔压为60-130mbar、碳硅比为1.00-1.03、生长速度为3-20μmh的条件下在碳化硅衬底上外延生长3-40min，得到缓冲层附着片； 步骤A2.以氮气为掺杂气体，在温度为1520-1690℃、腔压为60-130mbar，碳硅比为1.00-1.03，生长速度为10-100μmh的条件下在缓冲层附着片上生长7-60min，得到碳化硅厚膜外延片。

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