上海芯龙半导体技术股份有限公司涂少威获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯龙半导体技术股份有限公司申请的专利一种光电器件封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510906361.0，技术领域涉及：H10F77/50；该发明授权一种光电器件封装结构及其制作方法是由涂少威;李瑞平设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电器件封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光电器件封装结构及其制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，热管理结构包括多层半导体层，其中第二半导体层开设有多个相互分隔排布的矩形凹槽，每一矩形凹槽下方的第一半导体层内开始有多个硅通孔，而多个矩形凹槽的外侧设置有环绕在其四周的中空腔体（真空腔体），以通过将光电器件的不同辐射检测组件分别设置在不同的矩形凹槽内的方式，实现隔离外部交变热场环境对光电器件的热扰动和隔离不同辐射检测组件之间的辐射串扰，并利用硅通孔及时导出辐射检测组件内部热量，即在实现隔离光电器件在外部交变热场环境下的热扰动的同时，保持光电器件内部温度的稳定，并最终提高了光电器件的效能和可靠度。
本发明授权一种光电器件封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电器件封装结构，其特征在于，包括： 基板； 至少一热管理结构，位于所述基板上，所述热管理结构包括： 第一半导体层； 第二半导体层，位于所述第一半导体层上，包括多个沿第一方向相互分隔设置且分别贯穿所述第二半导体层的矩形凹槽、以及沿所述第一方向和第二方向环绕在所述多个矩形凹槽外侧且位于所述第二半导体层内的中空腔体； 第三半导体层，位于所述第二半导体层上，且在第三方向上，所述第三半导体层的投影与所述第二半导体层的投影交叠； 其中，所述第二半导体层和所述第一半导体层一体成型，所述第一方向和所述第二方向相互垂直，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向所在的平面垂直。
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