西北工业大学李哲获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种具备可变替换区域的自适应Flash可靠性优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120406855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510896669.1，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种具备可变替换区域的自适应Flash可靠性优化方法是由李哲;张洵颖;崔媛媛;赵晓冬;李万通;耿韩庆设计研发完成，并于2025-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具备可变替换区域的自适应Flash可靠性优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具备可变替换区域的自适应Flash可靠性优化方法，涉及Flash设计技术领域，该方法包括：在Flash控制器中设置用于实现不可用地址管理的相关寄存器；将片上Flash地址空间划分为正常存储地址段与存储替换地址段；Flash控制器进行自检，当检测到正常存储区出现坏块时，通过配置地址重映射寄存器组，使正常存储区坏块地址访问被重映射至存储替换区对应地址；当检测到存储替换区出现坏块时，通过替换区坏块寄存器组自动标记该地址为失效状态，使地址重映射时Flash控制器能够规避存储替换区的坏块地址。本发明采用划分存储替换地址段及动态地址映射方式，极大地减少了由于Flash不可用区域而引起的误码率，并提高了Flash数据存储的可靠性。
本发明授权一种具备可变替换区域的自适应Flash可靠性优化方法在权利要求书中公布了：1.一种具备可变替换区域的自适应Flash可靠性优化方法，其特征在于，包括： 在Flash控制器中设置用于实现不可用地址管理的相关寄存器； 将片上Flash地址空间划分为正常存储地址段与存储替换地址段； Flash控制器进行自检，当检测到正常存储区出现坏块时，通过配置地址重映射寄存器组，使正常存储区坏块地址访问被重映射至存储替换区对应地址；当检测到存储替换区出现坏块时，通过替换区坏块寄存器组自动标记该地址为失效状态，使地址重映射时Flash控制器能够规避存储替换区的坏块地址； 根据自检后得到的正常存储区坏块数量，动态调整存储替换区容量，并同步更新正常存储区结束地址和存储替换区基地址，使正常存储地址段与存储替换地址段的物理地址连续。
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