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无锡中微爱芯电子有限公司罗晟获国家专利权

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龙图腾网获悉无锡中微爱芯电子有限公司申请的专利一种具备过零检测功能的摩托车调压器芯片驱动电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120406643B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510890728.4,技术领域涉及:G05F1/618;该发明授权一种具备过零检测功能的摩托车调压器芯片驱动电路是由罗晟;陈红梅;李文嘉;沈睿婷;陈峰;陶金龙;王峰;李哲宇设计研发完成,并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种具备过零检测功能的摩托车调压器芯片驱动电路在说明书摘要公布了:本发明属于摩托车调压器芯片电路技术领域,特别涉及一种具备过零检测功能的摩托车调压器芯片驱动电路。包括过零检测模块,用于输入三相电信号PH1~PH3,并判断三相电信号PH1~PH3是否正过零和负过零,当三相电信号PH1~PH3大于零时输出低电平信号,当三相电信号PH1~PH3小于零时输出高电平信号;数字信号处理模块,对过零检测模块输出的信号VOD1~VOD3进行处理后输出信号DL_A和DL_B;驱动模块,用于输入信号DL_A和DL_B,并输出信号DRV1~DRV3给片外开关管。本发明能有效解决高功率输出时热负荷大的问题,提升了电压调节精度与稳定性。

本发明授权一种具备过零检测功能的摩托车调压器芯片驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种具备过零检测功能的摩托车调压器芯片驱动电路,其特征在于,包括: 过零检测模块,用于输入三相电信号PH1~PH3,并判断三相电信号PH1~PH3是否正过零和负过零,当三相电信号PH1~PH3大于零时输出低电平信号,当三相电信号PH1~PH3小于零时输出高电平信号;所述过零检测模块包括过零比较电平产生电路、电平检测电路和比较电路;其中所述过零比较电平产生电路用于通过开关管控制恒流源进行电阻分压后产生低电平信号VCOMP;所述电平检测电路用于检测三相电信号PH1~PH3是否过零,并分别输出信号VC1~VC3;所述比较电路用于将低电平信号VCOMP分别与信号VC1~VC3进行比较,并分别输出信号VOD1~VOD3; 数字信号处理模块,对所述过零检测模块输出的信号VOD1~VOD3进行处理后输出信号DL_A和DL_B; 驱动模块,用于输入信号DL_A和DL_B,并输出信号DRV1~DRV3给片外开关管,用于控制片外开关管的导通和关断; 所述过零比较电平产生电路包括:电流源Ia~Id、PMOS管P1~P4、电阻R1~R2和控制信号F1~F4;所述电流源Ia~Id的一端接入电源VCC1,另一端分别接入PMOS管P4~P1的源极,所述PMOS管P1~P4的栅极分别接入控制信号F1~F4,所述PMOS管P1的漏极接入电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端与电阻R2的一端、PMOS管P2~P4的漏极相连并输出低电平信号VCOMP,所述电阻R2的另一端接地; 所述比较电路包括:PMOS管P5~P10、NMOS管N5~N6、电阻R5、电流源Ie~Ig和偏置电压VB2~VB5;所述PMOS管P5的源极接入电源VCC1,所述PMOS管P5的漏极接入PMOS管P6的源极,所述PMOS管P6的漏极接入PMOS管P5的栅极和NMOS管N5的漏极并接入偏置电压VB2,所述PMOS管P6的栅极接入偏置电压VB3,所述NMOS管N5的栅极接入偏置电压VB4,所述NMOS管N5的源极接入PMOS管P9的漏极和电流源If的一端,所述电流源If的另一端接地,所述PMOS管P9的栅极接入低电平信号VCOMP,所述PMOS管P9的源极接入电阻R5和电流源Ie的一端,所述电流源Ie的另一端接入电源VCC1,所述电阻R5的另一端接入PMOS管P10的源极,所述PMOS管P10的栅极分别接入信号VC1~VC3,所述PMOS管P10的漏极接入NMOS管N6的源极和电流源Ig的一端,所述电流源Ig的另一端接地,所述NMOS管N6的栅极接入偏置电压VB5,所述NMOS管N6的漏极接入PMOS管P8的漏极并输出信号VOD1~VOD3,所述PMOS管P8的栅极接入偏置电压VB3,所述PMOS管P8的源极接入PMOS管P7的漏极,所述PMOS管P7的栅极接入偏置电压VB2,所述PMOS管P7的源极接入电源VCC1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人无锡中微爱芯电子有限公司,其通讯地址为:214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号软件园四期天鹅座C座802-1;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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