浙江工业大学尹争志获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利一种分子印迹电化学比率传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120404878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510874354.7，技术领域涉及：G01N27/327；该发明授权一种分子印迹电化学比率传感器及其制备方法是由尹争志;刘艳;吕井辉设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分子印迹电化学比率传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分子印迹电化学比率传感器及其制备方法，属于化学检测技术领域。本发明提供的分子印迹电化学比率传感器可用于bFGF检测。通过将FA和MB先后电聚合在ANME表面，制备比率传感界面。随着bFGF浓度的增加，pFA的峰值电流呈现逐渐降低的趋势，而pMB的峰值电流则保持相对稳定。采用pFA与pMB电流的比值作为信号进行bFGF检测，与单信号传感器相比，分子印迹电化学比率传感器具有更高的灵敏度、精确度和稳定性。
本发明授权一种分子印迹电化学比率传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分子印迹电化学比率传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤（1）：在针灸针微电极的表面沉积金纳米颗粒； 步骤（2）：继续沉积碳纳米管和聚3,4-乙烯二氧噻吩的复合物； 步骤（3）：进一步沉积聚阿魏酸； 步骤（4）：再沉积金纳米颗粒； 步骤（5）：在步骤（4）沉积的金纳米颗粒上锚定碱性成纤维细胞生长因子蛋白模板； 步骤（6）：继续沉积聚吡咯和聚亚甲基蓝的分子印迹聚合膜； 步骤（7）：最后脱除碱性成纤维细胞生长因子蛋白模板，即得所述分子印迹电化学比率传感器； 所述步骤（1）-（7）的操作均在所述针灸针微电极靠近尖端的0.1mm~10mm上进行。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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