北京怀柔实验室杨海峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利用于测温的晶圆结构和外延生长设备退火参数的校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510859698.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权用于测温的晶圆结构和外延生长设备退火参数的校正方法是由杨海峰;姚勇;李勇;李哲洋;于乐;金锐设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于测温的晶圆结构和外延生长设备退火参数的校正方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于测温的晶圆结构和外延生长设备退火参数的校正方法，晶圆结构，包括呈阵列排布的多个晶圆单元，晶圆单元包括多个沟槽，多个沟槽分别为第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，各沟槽包括本体部和掺杂部，本体部具有凹槽，掺杂部位于本体部的底面上，第一沟槽位于晶圆单元的中心区域，多个第二沟槽沿远离第一沟槽的方向依次间隔地围设于第一沟槽的外周，第三沟槽连接第一沟槽和多个第二沟槽，使得第一沟槽的掺杂部与第二沟槽的掺杂部相互接触，沟槽的深宽比大于2。采用本申请中用于测温的晶圆结构解决了晶圆结构不能体现外延生长设备的反应腔室中温度分布的问题。
本发明授权用于测温的晶圆结构和外延生长设备退火参数的校正方法在权利要求书中公布了：1.一种用于测温的晶圆结构，包括呈阵列排布的多个晶圆单元，其特征在于，所述晶圆单元包括多个沟槽，多个所述沟槽分别为第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，各所述沟槽包括本体部和掺杂部，所述本体部具有凹槽，所述掺杂部位于所述本体部的底面上，所述第一沟槽位于所述晶圆单元的中心区域，多个所述第二沟槽沿远离所述第一沟槽的方向依次间隔地围设于所述第一沟槽的外周，所述第三沟槽连接所述第一沟槽和多个所述第二沟槽，使得所述第一沟槽的掺杂部与所述第二沟槽的所述掺杂部相互接触，所述沟槽的深宽比大于2，所述晶圆结构还包括导电层，所述导电层与所述掺杂部接触，部分所述导电层位于所述晶圆单元的第一表面上。
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