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龙图腾网获悉深圳市威兆半导体股份有限公司申请的专利半导体功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510858120.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体功率器件及其制备方法是由彭祎铭;李伟聪;姜春亮;雷秀芳设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体功率器件及其制备方法，包括：提供一N+衬底，在所述N+衬底上形成第一外延层，在所述第一外延层上形成第一P型扩散区；在所述第一外延层上形成至少一第二外延层，在所述第二外延层上形成第二P型扩散区；在所述第二外延层上形成至少一第三外延层，在所述第三外延层上形成第三P型扩散区；在所述第三外延层上形成第四外延层，以及将所述第一P型扩散区、所述第二P型扩散区及所述第三P型扩散区连接为一体；在所述第四外延层的栅沟槽上形成双层屏蔽栅结构。本申请在耐压相同的前提下，降低半导体功率器件的单位面积导通电阻，降低导通损耗。

本发明授权半导体功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件制备方法，其特征在于，包括： 提供一N+衬底； 在所述N+衬底上形成相同掺杂类型的第一外延层，对所述第一外延层进行离子注入后，在所述第一外延层上形成第一P型扩散区； 在所述第一外延层上形成至少一第二外延层，对所述第二外延层进行离子注入后，在所述第二外延层上形成第二P型扩散区； 在所述第二外延层上形成至少一第三外延层，对所述第三外延层进行离子注入后，在所述第三外延层上形成第三P型扩散区； 在所述第三外延层上形成第四外延层，以及通过高温扩散将所述第一P型扩散区、所述第二P型扩散区及所述第三P型扩散区连接为一体，以构成功能扩散区，所述功能扩散区形成在部分的所述第一外延层、第二外延层、第三外延层及第四外延层中，以及在由所述第四外延层至所述N+衬底方向，所述第一P型扩散区、所述第二P型扩散区及所述第三P型扩散区同一侧的侧边连线的曲线轮廓呈正态分布，以及所述高温扩散在1000℃至1150℃条件下扩展30min至90min； 在所述第四外延层上形成若干个栅沟槽，以及在所述栅沟槽上形成双层屏蔽栅结构； 在所述第四外延层上相邻的所述栅沟槽之间进行自对准离子注入，形成P型体区及位于所述P型体区之上的N+源区； 在所述第四外延层上形成连接至所述P型体区内的接触孔区和覆盖所述接触孔区的源极金属层，以及所述N+衬底背金形成漏区。

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