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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510859647.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件是由石芝铭;杨喻心;孙晓娟;黎大兵;蒋科;贲建伟;吕顺鹏;张山丽设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料制备技术领域，本申请提供的宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件，包括量子阱结构，所述量子阱结构包括量子阱层及生长于所述量子阱层上的量子垒层；所述量子阱层及所述量子垒层的界面处引入氮化物量子阱异质界面处的氮空位，本申请通过在量子阱中引入精确设计的缺陷态，这些缺陷态能级位置位于CBM与CBM+1形成的准能级（Eg2）附近，能够有效调节CBM和VBM处的局域态密度，促进电子‑空穴的平衡冷却，并避免深能级缺陷态引发的非辐射复合效应，同时，缺陷态的引入不仅有效降低了热电子冷却时间，还增强了载流子的注入和复合效率，与传统EBL技术相比展现出显著的优势。

本发明授权宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带氮化物量子阱的制备方法，其特征在于：包括下述步骤： 生长量子阱结构，所述量子阱结构包括量子阱层及生长于所述量子阱层上的量子垒层； 在所述量子阱层及所述量子垒层的界面处引入氮化物量子阱异质界面处的氮空位； 在生长量子阱结构的步骤中，具体包括下述步骤： 提供一衬底； 在所述衬底上生长GaN基底层； 在所述GaN基底层上依次生长所述量子阱层及所述量子垒层； 在所述量子阱层及所述量子垒层的界面处引入氮化物量子阱异质界面处的氮空位的步骤中，具体包括下述步骤： 在所述量子垒层生长阶段，采用动态NH3流量控制技术，将NH3流量以100-200sccmmin的速率线性降低至600-1000sccm，同时将三甲基铝流量增加至80-120μmolmin，使生长过程中的气相VIII比降至500-800，并在此过程中周期性嵌入脉冲式NH3中断工艺，生长1nm量子垒层后关闭NH35-10秒，并在中断期间开启真空泵抽气系统，保持腔体压力≤1×10- 3Pa，抽气时间为中断时间的80%-100%，促使所述量子阱层及所述量子垒层的界面氮原子脱附形成氮空位VN富集区；通过X射线光电子能谱检测N-s态电子结合能偏移，定量氮空位VN浓度控制在1×1018-5×1019cm-3，利用深能级瞬态谱确认缺陷态位于Ec+0.8-1.2eV区间，并通过高分辨X射线衍射验证界面应变保持≤0.15%；其中：生长温度控制在800±50℃，反应腔压力维持在100±20kPa，生长速率控制在0.8-1.2μmh。

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