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龙图腾网获悉成都电科蓉芯科技有限公司申请的专利一种增强芯片抗电干扰的测试筛选方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120370141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510837429.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种增强芯片抗电干扰的测试筛选方法及系统是由彭磊;叶锦宏;张文远;苟绍予设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强芯片抗电干扰的测试筛选方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种增强芯片抗电干扰的测试筛选方法及系统，涉及半导体芯片抗电干扰技术领域，包括通过有限元分析法提取特征频率集合及其对应的空间电场分布，生成激励信号库；通过微波脉冲调控NV色心的电子自旋量子态，锁定微裂纹对应的特征谐振频点集合；根据特征谐振频点集合构建Vietoris‑Rips复形，筛选出缺陷风险指数大于0.15的高风险芯片；对高风险芯片施加动态偏置温度应力，筛选出符合标准的芯片；通过交互式训练优化激励组合权重、频段优先级及应力加载时序，最终输出自适应测试策略。本发明有益效果为实现了从信号生成、缺陷定位到策略自适应的全流程闭环控制，保障芯片长期稳定性。

本发明授权一种增强芯片抗电干扰的测试筛选方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种增强芯片抗电干扰的测试筛选方法，其特征在于，包括： 基于产线历史失效芯片的失效频点分布数据，采用三维时域有限差分法求解Maxwell方程的特征模态，通过有限元分析法提取特征频率集合及其对应的空间电场分布，生成激励信号库，所述激励信号库包括扫频信号、脉冲调制信号及场分布耦合信号； 利用金刚石NV色心阵列对激励信号库中的激励信号进行响应检测，通过微波脉冲调控NV色心的电子自旋量子态，测量基态跃迁概率并反演时域磁场信号，对时域磁场信号进行短时傅里叶变换生成磁场涨落谱，锁定微裂纹对应的特征谐振频点集合； 根据特征谐振频点集合构建Vietoris-Rips复形，计算持续同调特征并生成生命周期分布图，基于生命周期分布图的Betti数计算缺陷风险指数，筛选出缺陷风险指数大于0.15的高风险芯片； 遍历高风险芯片的列表，对高风险芯片施加动态偏置温度应力，通过电热耦合效应计算栅氧陷阱密度变化率，筛选出符合标准的芯片； 将激励信号库、特征谐振频点集合、高风险芯片以及符合标准的芯片输入至深度确定性策略梯度模型进行训练，以测试覆盖率与误判率为奖励函数，通过交互式训练优化激励组合权重、频段优先级及应力加载时序，最终输出自适应测试策略； 其中，所述根据特征谐振频点集合构建Vietoris-Rips复形，计算持续同调特征并生成生命周期分布图，基于生命周期分布图的Betti数计算缺陷风险指数，筛选出缺陷风险指数大于0.15的高风险芯片，包括： 基于特征谐振频点集合，将频点映射为高维空间中的点，根据预设的点间距阈值，连接邻近点以形成复形，进而得到频点空间关联性的拓扑结构模型，通过对拓扑结构模型中的尺度参数进行递增扩展，计算复形在一维同调群中的持续同调特征，同时记录环形拓扑结构的生成与消失过程，生成包含各环形结构生命周期的原始数据集合； 对生成的原始数据集合进行分析，提取特征谐振频点集合中与缺陷频段相关联的一维环形拓扑特征的生命周期分布图，在生命周期分布图中，横轴表示频点间距尺度参数，纵轴表示环形结构的持久性长度，通过量化持久性长度与频点密度的关联性，生成缺陷风险空间映射关系； 基于缺陷风险空间映射关系，统计各频段区间的Betti数的环形数量，得到统计结果，计算缺陷风险指数，筛选出缺陷风险指数大于0.15的高风险芯片，并输出相应列表，其计算公式如下： 式中，为缺陷风险指数，为一维同调群环形拓扑特征的持久性总和，cardfd为特征谐振频点集合中的频点数量。

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