天合光能股份有限公司邹吕禹获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120344029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510828490.2，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由邹吕禹;杨敏;刘壹博;陈景绍;陈达明设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请属于太阳能电池技术领域，主要提供了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件。该TOPCon太阳能电池的制备方法，包括：提供硅衬底，在硅衬底的第一面上依次形成隧穿氧化层、P型掺杂非晶硅层、P型掺杂非晶微晶硅层、P型掺杂微晶硅层；经过退火处理，使P型掺杂非晶硅层转化为第一P型掺杂层，使P型掺杂非晶微晶硅层转化为第二P型掺杂层，使P型掺杂微晶硅层转化为第三P型掺杂层；其中，第一P型掺杂层、第二P型掺杂层、第三P型掺杂层的晶粒尺寸逐层增大。本申请技术方案的TOPCon太阳能电池的制备方法，可以提高TOPCon太阳能电池的钝化性能和电学性能。
本发明授权TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底，所述硅衬底包括相对设置的第一面和第二面； 在所述硅衬底的第一面上形成隧穿氧化层； 利用PECVD，通入硅烷气体、三甲基硼气体和氢气，在所述隧穿氧化层上依次形成P型掺杂非晶硅层、P型掺杂非晶微晶硅层、P型掺杂微晶硅层； 其中，形成所述P型掺杂非晶硅层时，硅烷气体流量与氢气流量的比值为第一气体流量比；形成所述P型掺杂非晶微晶硅层时，硅烷气体流量与氢气流量的比值为第二气体流量比；形成所述P型掺杂微晶硅层时，硅烷气体流量与氢气流量的比值为第三气体流量比； 所述第一气体流量比大于所述第二气体流量比，所述第二气体流量比大于所述第三气体流量比； 经过退火处理，使所述P型掺杂非晶硅层转化为第一P型掺杂层，使所述P型掺杂非晶微晶硅层转化为第二P型掺杂层，使所述P型掺杂微晶硅层转化为第三P型掺杂层； 其中，所述第一P型掺杂层、所述第二P型掺杂层、所述第三P型掺杂层的晶粒尺寸逐层增大。
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