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杭州飞思特电源科技有限公司张红彬获国家专利权

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龙图腾网获悉杭州飞思特电源科技有限公司申请的专利一种零启动功耗的同相位驱动电平转换电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120357890B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510819847.0,技术领域涉及:H03K19/00;该发明授权一种零启动功耗的同相位驱动电平转换电路是由张红彬;王佳伟设计研发完成,并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

一种零启动功耗的同相位驱动电平转换电路在说明书摘要公布了:本发明提供一种零启动功耗的同相位驱动电平转换电路,包括碳化硅场效应管、用于控制电平反转且连接于碳化硅场效应管处的两级电平反转电路、用于驱动碳化硅场效应管且连接于两级电平反转电路处的驱动电流放大电路,电路正极连接于驱动电流放大电路处;所述两级电平反转电路包括第一场效应管以及第二场效应管,所述第一场效应管的漏极与第二场效应管的栅极连接,所述第一场效应管的源极与第二场效应管的源极共同连接至电路负极处,且第二场效应管的漏极连接至碳化硅场效应管的栅极处,第二场效应管的源极与碳化硅场效应管的源极相连;本发明既保证电平转换功能,同时实现零功耗的待机能耗。

本发明授权一种零启动功耗的同相位驱动电平转换电路在权利要求书中公布了:1.一种零启动功耗的同相位驱动电平转换电路,其特征在于:包括碳化硅场效应管Q5、用于控制电平反转且连接于碳化硅场效应管Q5处的两级电平反转电路、用于驱动碳化硅场效应管Q5且连接于两级电平反转电路处的驱动电流放大电路,电路正极VCC连接于驱动电流放大电路处;所述两级电平反转电路包括第一场效应管Q3以及第二场效应管Q4,所述第一场效应管Q3的漏极与第二场效应管Q4的栅极连接,所述第一场效应管Q3的源极与第二场效应管Q4的源极共同连接至电路负极GND处,且第二场效应管Q4的漏极连接至碳化硅场效应管Q5的栅极处,第二场效应管Q4的源极与碳化硅场效应管Q5的源极相连,以使第一场效应管Q3关闭、第二场效应管Q4导通时,碳化硅场效应管Q5处于截止状态,当第一场效应管Q3导通,第二场效应管Q4关闭时,碳化硅场效应管Q5处于导通状态; 驱动电流放大电路包括第一三极管Q1,所述第一三极管Q1的基极通过第四电阻R4与第一场效应管Q3的漏极连接,第一三极管Q1的集电极通过第五电阻R5与碳化硅场效应管Q5的栅极连接,且第一三极管Q1的基极与发射极之间设置有第二电阻R2,以使第一场效应管Q3导通、第二场效应管Q4关闭时,第二电阻R2与第四电阻R4施加电压,并导通第一三极管Q1; 还包括快速关断电路,所述快速关断电路包括第二三极管Q2,所述第二三极管Q2的集电极与第一三极管Q1的基极相连,第二三极管Q2的发射极连接至电路正极VCC处,且第二三极管Q2的基极通过第三电阻R3以及电容C1连接至第一场效应管Q3的栅极以及离线控制器(1)处; 第三电阻R3与电容C1形成RC时间常数,所述RC时间常数为200ns; 所述第二三极管Q2的基极与发射极之间通过第一电阻R1连接; 二极管D1连接于第三电阻R3以及电容C1之间,且二极管D1的正极连接至电路正极VCC或电路负极GND处。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人杭州飞思特电源科技有限公司,其通讯地址为:311100 浙江省杭州市余杭区仁和街道仁河大道516号1幢3楼302室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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