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龙图腾网获悉中国第一汽车股份有限公司申请的专利一种氧传感器保护层的制备方法及氧传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120311128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510803613.7，技术领域涉及：C23C4/02；该发明授权一种氧传感器保护层的制备方法及氧传感器是由齐丹;丛鑫;高宏宇;商安琪;孙韵婷;王金兴;任松;李爽;付泉鑫;张松峰设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧传感器保护层的制备方法及氧传感器在说明书摘要公布了：本发明属于氧传感器技术领域，提供了一种氧传感器保护层的制备方法及氧传感器，氧传感器保护层为单层结构，制备方法包括以下步骤：对氧传感器芯片进行基体粗化处理；用固态的造孔剂对氧传感器芯片的进气孔进行封孔保护；控制等离子喷涂氧传感器保护层时的喷涂参数，结合适宜的基体粗糙度，采用双重降温保护措施，制得氧传感器保护层。采用本发明的制备方法获得的氧传感器保护层附着力高、孔隙率和涂层厚度均匀、耐淋水性高、氧传感器芯片的进气孔畅通、信号衰减得到降低，能够满足氧传感器对氧传感器保护层的工作要求，氧传感器避免了失效风险、工作性能更稳定，延长了使用寿命，生产周期短、成本低。

本发明授权一种氧传感器保护层的制备方法及氧传感器在权利要求书中公布了：1.一种氧传感器保护层的制备方法，其特征在于，所述氧传感器保护层为单层结构，其制备方法包括步骤如下： S1、对氧传感器芯片待保护部位进行基体粗化处理； S2、采用固态的造孔剂对所述氧传感器芯片待保护部位的进气孔进行封孔处理：将氧传感器芯片的进气孔所在面朝上放置于平面上，将固态的造孔剂颗粒撒在氧传感器芯片的表面，使固态的造孔剂颗粒覆盖氧传感器芯片进气孔的所在区域，用柔性刮板单向刮平，将进气孔封住； S3、采用等离子喷涂方法对氧传感器芯片待保护部位进行喷涂，控制喷涂工艺参数，同时使用双重降温保护措施，得到所述氧传感器保护层；所述喷涂工艺参数包括喷涂角度、喷涂功率、喷涂距离、送粉量； 所述步骤S1包括：采用吹砂法，设置压缩空气的压力为0.05~0.25MPa，以压缩空气将白刚玉砂喷射到氧传感器芯片待保护部位，增加基体的粗糙度，白刚玉砂的粒度为100~150目，氧传感器芯片待保护部位为氧传感器芯片前端的泵面自边缘起16mm范围内、加热器面自边缘起18mm范围内； 所述步骤S3中控制喷涂角度范围为30~60°、喷涂功率为28~42kW、喷涂距离为120~200mm、送粉量为15~35gmin； 所述双重降温保护措施包括固定部分和机动部分，所述固定部分采用耐高温材料遮挡氧传感器芯片非喷涂部位；机动部分采用压缩气体对氧传感器芯片受喷涂部位进行局部冷却。

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