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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120321940B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510804072.X，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈兴设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，对Core器件区的NMOS区和SRAM器件区的NMOS区进行第一次离子注入，以使Core器件区的NMOS区的阈值电压调节到目标值，此时SRAM器件区的NMOS区具有第一阈值电压值；根据第一阈值电压值和SRAM器件的良率与阈值电压的关系，确定最高良率所对应的SRAM器件区的PMOS区的第二阈值电压值；对Core器件区的PMOS区和SRAM器件区的PMOS区进行第二次离子注入，以使SRAM器件区的PMOS区的阈值电压达到第二阈值电压值，对Core器件区的PMOS区进行第二次调节阈值电压，以使Core器件区的PMOS区的阈值电压达到目标值。本发明意想不到的效果是，在Core器件区与SRAM器件区共用掩模版降低制造成本的同时，保证Core器件区的阈值电压达到目标值和SRAM器件区达到最高良率所对应的阈值电压。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包括Core器件区与SRAM器件区，所述Core器件区包括PMOS区和NMOS区，所述SRAM器件区包括PMOS区和NMOS区； 执行第一离子注入工艺，对所述Core器件区的NMOS区和所述SRAM器件区的NMOS区进行阱掺杂和调节阈值电压，以使所述Core器件区的NMOS区的阈值电压调节到目标值，此时所述SRAM器件区的NMOS区具有第一阈值电压值； 根据所述SRAM器件区的NMOS区的第一阈值电压值，以及所述SRAM器件的良率与阈值电压的关系，确定出最高良率所对应的所述SRAM器件区的PMOS区的第二阈值电压值； 执行第二离子注入工艺，对所述Core器件区的PMOS区和所述SRAM器件区的PMOS区进行阱掺杂和调节阈值电压，以使所述SRAM器件区的PMOS区的阈值电压达到第二阈值电压值，此时所述Core器件区的PMOS区具有第三阈值电压值； 执行第三离子注入工艺，对所述Core器件区的PMOS区的第三阈值电压值进行第二次阈值电压调节，以使所述Core器件区的PMOS区的阈值电压达到目标值。

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