北京青耘科技有限公司赵如月获国家专利权
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龙图腾网获悉北京青耘科技有限公司申请的专利存储晶圆结构以及三维集成装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120319294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510791344.7，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权存储晶圆结构以及三维集成装置的形成方法是由赵如月设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储晶圆结构以及三维集成装置的形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种存储晶圆结构以及一种三维集成装置的形成方法。所述存储晶圆结构的切割区形成有测试芯片，测试芯片包括核心存储模块、输入输出模块、控制模块以及数据通道模块，利用测试芯片，能够在存储晶圆结构与逻辑电路晶圆键合之前间接检测芯片区的存储单元的性能和良率，便于筛选合格的存储晶圆结构与逻辑电路晶圆键合，有助于提高包括存储晶圆结构和逻辑电路晶圆的三维集成装置的良率，降低报废成本。所述三维集成装置的形成方法中，在将上述存储晶圆结构与逻辑电路晶圆键合之前，先利用所述测试芯片进行测试，有助于提高良率，降低报废成本。
本发明授权存储晶圆结构以及三维集成装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储晶圆结构，其特征在于，包括多个芯片区和位于各所述芯片区周围的切割区，每个所述芯片区形成有一个存储芯片，每个存储芯片包括多个包括存储器件阵列的存储单元，所述切割区形成有测试芯片，所述测试芯片包括： 核心存储模块，包括存储器件阵列，所述核心存储模块中的存储器件阵列复制于一个所述存储单元中的存储器件阵列的至少一部分； 输入输出模块，用于将外部信号接入所述测试芯片以及输出所述测试芯片检测到的信号，以至少检测所述核心存储模块的电路连接功能和读写性能； 控制模块，用于根据所述输入输出模块的输入信息形成控制信号； 数据通道模块，用于根据所述控制模块的控制信号在所述输入输出模块与所述核心存储模块之间形成双向数据传输通道；以及 电熔丝模块，复制于所述存储单元内部的电熔丝模块，在所述测试芯片内，所述电熔丝模块用于获取所述输入输出模块输入的编程电压，并根据所述控制模块的控制信号对电熔丝进行编程，所述电熔丝模块还将对熔丝元件进行编程的结果发送给所述数据通道模块进行验证。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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