比亚迪股份有限公司;比亚迪汽车工业有限公司王军获国家专利权
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龙图腾网获悉比亚迪股份有限公司;比亚迪汽车工业有限公司申请的专利碳化硅外延片及其制备方法和功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120321995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510775672.8，技术领域涉及：H10D62/832；该发明授权碳化硅外延片及其制备方法和功率器件是由王军;周芮;汤文辉;黄雪枫;周维设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅外延片及其制备方法和功率器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率器件领域，具体公开了一种碳化硅外延片及其制备方法和功率器件，其中碳化硅外延片包括：碳化硅衬底；缓冲层，缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层设置在碳化硅衬底的一侧表面，第二缓冲层设置在第一缓冲层的远离碳化硅衬底的表面；碳化硅外延层，碳化硅外延层设置在第二缓冲层的远离碳化硅衬底的表面；其中，碳化硅衬底与水的接触角为θ1，第一缓冲层与水的接触角为θ2，第二缓冲层与水的接触角为θ3，满足θ1θ2，且θ2θ3。申请通过精确控制缓冲层接触角的分布，有利于得到高晶体质量的缓冲层，进而有利于得到具有低缺陷密度、高晶体质量的碳化硅外延片。
本发明授权碳化硅外延片及其制备方法和功率器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延片，其特征在于，包括： 碳化硅衬底； 缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述碳化硅衬底的一侧表面，所述第二缓冲层设置在所述第一缓冲层的远离所述碳化硅衬底的表面； 碳化硅外延层，所述碳化硅外延层设置在所述第二缓冲层的远离所述碳化硅衬底的表面； 其中，所述碳化硅衬底与水的接触角为θ1，所述第一缓冲层与水的接触角为θ2，所述第二缓冲层与水的接触角为θ3，满足θ1θ2，且θ2θ3。
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